- RS-varenummer:
- 177-9705
- Producentens varenummer:
- VN0300L-G
- Brand:
- Microchip
Varen er desværre i restordre, forventet afsendelsesdato 12-07-2024
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (i en pose á 1000)
Kr. 7,54
(ekskl. moms)
Kr. 9,42
(inkl. moms)
Enheder | Pr stk. | Per Bag* |
1000 + | Kr. 7,54 | Kr. 7.540,00 |
- RS-varenummer:
- 177-9705
- Producentens varenummer:
- VN0300L-G
- Brand:
- Microchip
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
- COO (Country of Origin):
- TW
Generel produktinformation
Microchip Technology MOSFET
Microchip Technology N-channel MOSFET til montering gennem hul er et nyt aldersprodukt med en kildespænding på 30 V og en maksimal gate-source-spænding på 30 V. Den har en modstand på 1,2 ohm ved en gate-source-spænding på 10 V. Den har konstant drænstrøm på 640 mA og maksimal effekttab på 1 W. Min. og maks. drivspænding for dette MOSFET er henholdsvis 5 V og 10 V. MOSFET er en forstærkningstilstand (normalt slukket) MOSFET, der anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne anordning er en vaesentlig egenskab ved alle MOS-konstruktioner og er fri for termisk start og termisk induceret sekundaer nedbrydning. Denne vertikale DMOS FET er optimeret til lavere koblings- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Sig af parallelkobling
• Fremragende termisk stabilitet
• Frie fra sekundær nedbrydning
• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
• Integreret kildedrændiode
• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder
• Krav til lavt effektdrev
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.
• Fremragende termisk stabilitet
• Frie fra sekundær nedbrydning
• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
• Integreret kildedrændiode
• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder
• Krav til lavt effektdrev
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.
Anvendelsesområder
• Forstærkere
• Konvertere
• Drivere: Relæer, hamre, magnetventiler, lamper, minder, displays, bipolære transistorer osv.
• Motorstyringer
• Strømforsyningskredsløb
• Switche
• Konvertere
• Drivere: Relæer, hamre, magnetventiler, lamper, minder, displays, bipolære transistorer osv.
• Motorstyringer
• Strømforsyningskredsløb
• Switche
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC
Egenskaber
Attribute | Value |
---|---|
Kanaltype | N |
Drain-strøm kontinuerlig maks. | 640 mA |
Drain source spænding maks. | 30 V |
Kapslingstype | TO-92 |
Serie | VN0300 |
Monteringstype | Hulmontering |
Benantal | 3 |
Drain source modstand maks. | 3,3 Ω |
Kanalform | Enhancement |
Maks. tærskelspænding for port | 2.5V |
Mindste tærskelspænding for port | 0.8V |
Effektafsættelse maks. | 1 W |
Transistorkonfiguration | Enkelt |
Gate source spænding maks. | 30 V |
Længde | 5.08mm |
Bredde | 4.06mm |
Driftstemperatur maks. | +150 °C |
Antal elementer per chip | 1 |
Højde | 5.33mm |
Driftstemperatur min. | -55 °C |
Gennemgangsspænding for diode | 0.9V |