Microchip N-Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V, 3 ben, TO-92, 2N7000 2N7000-G
- RS-varenummer:
- 177-9760
- Producentens varenummer:
- 2N7000-G
- Brand:
- Microchip
100 På lager for afsendelse samme dag
750 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
Anslået samlet pris (25 Enheder)
Kr. 72,85
(ekskl. moms)
Kr. 91,05
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 25 - 75 | Kr. 2,914 | Kr. 72,85 |
| 100 + | Kr. 2,675 | Kr. 66,875 |
- RS-varenummer:
- 177-9760
- Producentens varenummer:
- 2N7000-G
- Brand:
- Microchip
- COO (Country of Origin):
- TW
Microchip Technology MOSFET
Microchip Technology N-channel MOSFET til montering gennem hul er et nyt aldersprodukt med en kildespænding på 60 V og en maksimal gate-source-spænding på 30 V. Den har en modstand på 5 ohm ved en gate-source-spænding på 10 V. Den har konstant drænstrøm på 200 mA og maksimal effekttab på 1 W. Min. og maks. drivspænding for dette MOSFET er henholdsvis 4,5 V og 10 V. MOSFET er en forstærkningstilstand (normalt slukket) MOSFET, der anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne anordning er en vaesentlig egenskab ved alle MOS-konstruktioner og er fri for termisk start og termisk induceret sekundaer nedbrydning. Denne vertikale DMOS FET er optimeret til lavere koblings- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Sig af parallelkobling
• Fremragende termisk stabilitet
• Frie fra sekundær nedbrydning
• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
• Integreret kildedrændiode
• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder
• Krav til lavt effektdrev
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.
• Fremragende termisk stabilitet
• Frie fra sekundær nedbrydning
• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
• Integreret kildedrændiode
• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder
• Krav til lavt effektdrev
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.
Anvendelsesområder
• Forstærkere
• Konvertere
• Drivere: Relæer, hamre, magnetventiler, lamper, minder, displays, bipolære transistorer osv.
• Motorstyringer
• Strømforsyningskredsløb
• Switche
• Konvertere
• Drivere: Relæer, hamre, magnetventiler, lamper, minder, displays, bipolære transistorer osv.
• Motorstyringer
• Strømforsyningskredsløb
• Switche
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 200 mA |
| Drain source spænding maks. | 60 V |
| Serie | 2N7000 |
| Kapslingstype | TO-92 |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 5,3 Ω |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 3V |
| Mindste tærskelspænding for port | 0.8V |
| Effektafsættelse maks. | 1 W |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | 30 V |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Længde | 5.08mm |
| Bredde | 4.06mm |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Driftstemperatur min. | -55 °C |
| Gennemgangsspænding for diode | 0.85V |
| Højde | 5.33mm |
- RS-varenummer:
- 177-9760
- Producentens varenummer:
- 2N7000-G
- Brand:
- Microchip
- COO (Country of Origin):
- TW
Microchip Technology MOSFET
Microchip Technology N-channel MOSFET til montering gennem hul er et nyt aldersprodukt med en kildespænding på 60 V og en maksimal gate-source-spænding på 30 V. Den har en modstand på 5 ohm ved en gate-source-spænding på 10 V. Den har konstant drænstrøm på 200 mA og maksimal effekttab på 1 W. Min. og maks. drivspænding for dette MOSFET er henholdsvis 4,5 V og 10 V. MOSFET er en forstærkningstilstand (normalt slukket) MOSFET, der anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne anordning er en vaesentlig egenskab ved alle MOS-konstruktioner og er fri for termisk start og termisk induceret sekundaer nedbrydning. Denne vertikale DMOS FET er optimeret til lavere koblings- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Sig af parallelkobling
• Fremragende termisk stabilitet
• Frie fra sekundær nedbrydning
• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
• Integreret kildedrændiode
• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder
• Krav til lavt effektdrev
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.
• Fremragende termisk stabilitet
• Frie fra sekundær nedbrydning
• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
• Integreret kildedrændiode
• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder
• Krav til lavt effektdrev
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.
Anvendelsesområder
• Forstærkere
• Konvertere
• Drivere: Relæer, hamre, magnetventiler, lamper, minder, displays, bipolære transistorer osv.
• Motorstyringer
• Strømforsyningskredsløb
• Switche
• Konvertere
• Drivere: Relæer, hamre, magnetventiler, lamper, minder, displays, bipolære transistorer osv.
• Motorstyringer
• Strømforsyningskredsløb
• Switche
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 200 mA |
| Drain source spænding maks. | 60 V |
| Serie | 2N7000 |
| Kapslingstype | TO-92 |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 5,3 Ω |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 3V |
| Mindste tærskelspænding for port | 0.8V |
| Effektafsættelse maks. | 1 W |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | 30 V |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Længde | 5.08mm |
| Bredde | 4.06mm |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Driftstemperatur min. | -55 °C |
| Gennemgangsspænding for diode | 0.85V |
| Højde | 5.33mm |