Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 12 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, IRFP9240

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 417,375

(ekskl. moms)

Kr. 521,725

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 775 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
25 - 25Kr. 16,695Kr. 417,38
50 - 100Kr. 15,693Kr. 392,33
125 +Kr. 14,194Kr. 354,85

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-0786
Producentens varenummer:
IRFP9240PBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

TO-247

Serie

IRFP9240

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

500mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

44nC

Gennemgangsspænding Vf

-5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

15.87mm

Højde

20.7mm

Bredde

5.31mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay IRFP9240 seriens Power MOSFET, -200 V maksimal drain source-spænding, -12 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFP9240PBF


Denne effekt-MOSFET er en P-kanal-forstærkningstransistor, der er designet til højspændingsswitching og strømstyring i hulmontering. Den er beregnet til industrielle og elektroniske systemer, der kræver en enhed med negativ polaritet, der er i stand til at håndtere betydelige spændings- og strømspændinger, mens den fungerer over et bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele:


• Vurderet til -200 V drain-kilde for at muliggøre højspændingskontaktkapacitet • Kontinuerlig drænstrøm -12 A understøtter betydelige belastningsstrømme • Maks. effekttab 150 W til anvendelser med høj effekt • Drain-source-modstand på 500 mΩ minimerer ledningstab under belastning • Typisk gate-ladning 44 nC reducerer kravene til gate-drevenergi • Maksimal driftstemperatur på 150 °C muliggør forhøjet omgivende drift

Anvendelser


• Velegnet til high-side-switching i strømforsyningsmoduler • Ideel til batteristyring og omvendt polaritetsbeskyttelseskredsløb • Bruges til motorstyring i industrielle automationssystemer • Kan bruges til belastningsswitching i invertere med vedvarende energi • Anvendes med diskrete forstærkertrin, der kræver P-kanals omskiftning

Hvilken monteringstype bruger den til kredsløbsmontering?


Den leveres i en pakke med gennemgående hul, hvilket muliggør bolt-down varmeafledning og nem printmontering.

Hvilken pakkeformfaktor skal planlægges for i design?


Enheden er opbevaret i en TO-247AC-pakke, der er kompatibel med standardkølelegemer med gennemgående hul.

Hvilke gate-drive-begrænsninger skal overholdes?


Den maksimale gate-source-spænding er 20 V, så gate-drive-kredsløb bør ikke overstige denne tærskel.

Hvordan opfører den sig over ekstreme temperaturer?


Den er specificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, hvilket understøtter anvendelser med bred termisk variation.

Hvilken dokumentation skal konsulteres for detaljerede elektriske egenskaber?


Se IRFP9240PBF-databladet og specifikationerne for komplette elektriske kurver og anvendelsesnoter.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.