Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 9.2 A 600 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFB9N60A

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 614,85

(ekskl. moms)

Kr. 768,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 950 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 12,297Kr. 614,85
100 - 200Kr. 10,454Kr. 522,70
250 +Kr. 9,838Kr. 491,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-0821
Producentens varenummer:
IRFB9N60APBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.2A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Serie

IRFB9N60A

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

750mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

49nC

Portkildespænding maks.

-30V, +30V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Effektafsættelse maks. Pd

170W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

9.01mm

Længde

10.41mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

4.7mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay IRFB9N60A seriens Power MOSFET, 600 V drain source spænding, 9,2 A kontinuerlig drain strøm - IRFB9N60APBF


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er beregnet til koblings- og forstærkningsopgaver i industriel elektronik. Den fungerer som en forstærkningsenhed og leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående huller, der er velegnet til montering på køleelementer. Komponenten er designet til at fungere over et bredt temperaturområde, hvilket gør den velegnet til krævende termiske miljøer.

Egenskaber og fordele:


• 600 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 9.2 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 750 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 170 W maks. tab muliggør håndtering af høj effekt
• 49 nC typisk gate-ladning giver mulighed for kontrolleret skiftedynamik
• 30 V gate-tolerance understøtter standard gate-drivspændinger

Anvendelser


• Velegnet til offline strømforsyninger og SMPS
• Ideel til inverter- og motordrevtrin
• Anvendes sammen med højspændings DC-DC-konverterdesign
• Kan bruges til induktiv belastningsswitching i industrielt udstyr
• Anvendes til Power-Stage-prototyper på udviklingskort med gennemgående huller

Hvilke termiske ekstremer kan enheden tolerere under drift?


Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C omgivelsestemperatur og kan rumme lavtemperaturstarter og forhøjet termisk belastning.

Hvordan understøtter pakken montering og køling i systemer?


TO-220AB-konstruktionen muliggør sikker montering gennem hul og direkte fastgørelse til en køleplade for forbedret varmeledning.

Hvilke overvejelser om gate-driver er nødvendige for switching-ydeevne?


Driftsspændingerne skal forblive inden for ±30 V fra gate-til-kilde

den 49 nC gate-opladning påvirker den krævede driverstrøm for målrettet skiftehastighed.

Er enheden velegnet til anvendelser i bilkvalitet?


Den er ikke karakteriseret iht. bilstandarder og anbefales derfor til industrielle i stedet for bilcertificerede anvendelser.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.