Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 14 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF
- RS-varenummer:
- 178-0830
- Producentens varenummer:
- IRF644SPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 785,40
(ekskl. moms)
Kr. 981,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 800 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 15,708 | Kr. 785,40 |
| 100 - 200 | Kr. 13,509 | Kr. 675,45 |
| 250 + | Kr. 12,566 | Kr. 628,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-0830
- Producentens varenummer:
- IRF644SPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IRF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 68nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IRF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 68nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 14 A 250 V Forbedring TO-263, IRF
- Vishay Type N-Kanal 9.2 A 600 V Forbedring TO-263, IRFS
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-263, IRF
- Vishay Type N-Kanal 14 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- onsemi Type N-Kanal 50 A 250 V Forbedring TO-263, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 44 A 250 V Forbedring TO-263, UniFET
- onsemi Type N-Kanal 33 A 250 V Forbedring TO-263, UniFET
- Infineon Type N-Kanal 250 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET