Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 9.2 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRFS9N60A

RS-varenummer:: 178-0850
Producentens varenummer:: IRFS9N60APBF
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 9.2 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRFS9N60A

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 686,65

(ekskl. moms)

Kr. 858,30

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 550 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 +	Kr. 13,733	Kr. 686,65

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-0850
Producentens varenummer:: IRFS9N60APBF
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	9.2A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Serie	IRFS9N60A
	Emballagetype	TO-263
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	750mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	49nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.5V
	Portkildespænding maks.	-30V, +30V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	170W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	10.67mm
	Bredde	9.65mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	4.83mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.2A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Serie IRFS9N60A
	Emballagetype TO-263
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 750mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.5V
	Portkildespænding maks. -30V, +30V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 170W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 10.67mm
	Bredde 9.65mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 4.83mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

Vishay IRFS9N60A seriens Power MOSFET, 600 V drain source spænding, 9,2 A kontinuerlig drain strøm - IRFS9N60APBF

Denne effekt-MOSFET er en højspændings, N-kanals koblingstransistor, der er designet til overflademonterede anvendelser, hvor der kræves robust termisk og elektrisk ydeevne. Den fungerer over et udvidet omgivende område og er beregnet til brug i strømkonvertering, kobling og højspændingskredsløb, der kræver en kombination af strømstyrke og spændingsholdbarhed.

Egenskaber og fordele:

• 600 V drain-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 9,2 A kontinuerlig strømkapacitet understøtter moderate belastninger
• 750 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 170 W maks. tab giver mulighed for betydelig effektgennemstrømning
• 49 nC typisk gate-ladning optimerer koblingsdynamikken
• 30 V gate-tærskel giver mulighed for almindelige gate-drivspændinger

Anvendelser

• Velegnet til offline switch-mode strømforsyninger
• Ideel til højspændingsmotordrevstrin
• Anvendes til invertere og konvertere til vedvarende energi
• Kan bruges til industrielle strømstyringer
• Velegnet til højspændingsbelysnings- og forkoblingsdesign

Hvilke termiske ekstremer kan den tolerere under drift?

Enheden er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i en lang række termiske miljøer.

Hvordan er komponenten pakket til montering på kort?

Den leveres i en TO-263-pakke, der er beregnet til overflademontering, hvilket letter varmeafledning og automatiseret samling.

Hvilke gate-drive-spændingsgrænser skal overholdes?

Den maksimale gate-til-kilde-spænding er 30 V, som ikke bør overskrides for at undgå beskadigelse af gate-oxid.

Bruger enheden forstærkning eller udtømningstilstand?

Det er en N-kanal MOSFET med forbedringstilstand, der kræver et positivt gate-drev i forhold til kilden til ledning.