Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 9.2 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRFS9N60A

RS-varenummer:: 178-0850
Producentens varenummer:: IRFS9N60APBF
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 9.2 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRFS9N60A

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 686,65

(ekskl. moms)

Kr. 858,30

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

550 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 +	Kr. 13,733	Kr. 686,65

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-0850
Producentens varenummer:: IRFS9N60APBF
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	9.2A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Serie	IRFS9N60A
	Emballagetype	TO-263
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	750mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.5V
	Portkildespænding maks.	30V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	49nC
	Effektafsættelse maks. Pd	170W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	9.65mm
	Længde	10.67mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	4.83mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.2A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Serie IRFS9N60A
	Emballagetype TO-263
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 750mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.5V
	Portkildespænding maks. 30V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC
	Effektafsættelse maks. Pd 170W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 9.65mm
	Længde 10.67mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 4.83mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

Vishay IRFS9N60A seriens Power MOSFET, 600 V maksimal drain source-spænding, 9,2 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFS9N60APBF

Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanalenhed, der er designet til koblings- og strømkonverteringsopgaver i industrielle og elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til overflademonteret integration på strømforsyningsenheder, hvor der kræves højspændingskapacitet og robust termisk håndtering.

Egenskaber og fordele:

• 600 V drain-modstandsdygtig spænding, der muliggør højspændingsswitching
• 9,2 A kontinuerlig afløbsstrøm for stabil belastningshåndtering
• 750 mΩ modstand ved tænding minimerer ledningstab
• 49 nC typisk gate-ladning for forudsigelig koblingsenergi
• 170 W effekttab understøtter forhøjet effektgennemstrømning
• 150 °C maksimal samletemperatur til drift ved høje temperaturer

Anvendelser

• Velegnet til SMPS primære omskifterfunktioner i strømforsyninger
• Ideel til højspændingsomformere i industrielle drev
• Anvendes til switch-mode motorstyringer, der håndterer høje spændinger
• Kan bruges til effektfaktorkorrektion af front-end-kredsløb

Hvilket monteringsformat kræver den til montering?

Den leveres til overflademontering i en TO-263-pakke med tre ben, der passer til standard varmesænkede printkortfodaftryk.

Hvilke portgrænser skal overholdes for at undgå skader?

Porten må ikke drives ud over ±30 V i forhold til kilden for at forhindre overbelastning af portoxid.

Hvordan påvirker termisk styring ydeevnen?

Med 170 W nominel tab og en maksimal samletemperatur på 150 °C er der behov for tilstrækkeligt printkortkobber og varmeafledere til at opretholde samletemperatur under kraftig belastning.

Hvilke miljømæssige specifikationer påvirker valg af materialer?

Komponenten er i overensstemmelse med RoHS-kravene, hvilket påvirker valg af lodning og materialer i monteringen.