Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 10 A 400 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF740S
- RS-varenummer:
- 542-9406
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-15-868
- Producentens varenummer:
- IRF740SPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 23,41
(ekskl. moms)
Kr. 29,26
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 17 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 43 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 545 enhed(er) afsendes fra 16. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 23,41 |
| 10 - 49 | Kr. 20,05 |
| 50 - 99 | Kr. 18,77 |
| 100 - 249 | Kr. 17,65 |
| 250 + | Kr. 14,21 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 542-9406
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-15-868
- Producentens varenummer:
- IRF740SPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Serie | IRF740S | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 550mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Serie IRF740S | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 550mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 9.65mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRF740S seriens Power MOSFET, 400 V drain source-spænding, 10 A kontinuerlig drain-strøm - IRF740SPBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømkonverteringsroller i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er beregnet til anvendelser, der kræver kontrolleret gate-drev og robust strømhåndtering, samtidig med at den overholder RoHS-direktiver.
Egenskaber og fordele:
• 400 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 10 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 125 W effekttabskapacitet forbedrer det termiske rum
• 550 mΩ Rds(on) balancerer ledningstab og styringsenkelhed
• 63 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd
• 20 V maks. gate-source-klassificering beskytter gate-drive-design
• 10 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 125 W effekttabskapacitet forbedrer det termiske rum
• 550 mΩ Rds(on) balancerer ledningstab og styringsenkelhed
• 63 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd
• 20 V maks. gate-source-klassificering beskytter gate-drive-design
Anvendelser
• Velegnet til switch-mode strømforsyninger i industrielt udstyr
• Ideel til højspændingsmotortrin og invertere
• Anvendes sammen med isolerede gate-drivere i konvertere til vedvarende energi
• Kan bruges til DC-DC-omformere, der håndterer moderate strømme
• Velegnet til strømstyring på tætbefolkede SMT-kort
• Ideel til højspændingsmotortrin og invertere
• Anvendes sammen med isolerede gate-drivere i konvertere til vedvarende energi
• Kan bruges til DC-DC-omformere, der håndterer moderate strømme
• Velegnet til strømstyring på tætbefolkede SMT-kort
Hvilke ekstreme temperaturer kan denne enhed tolerere under drift?
Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C og dækker typiske kommercielle og udvidede industrielle områder.
Hvordan påvirker pakken monteringen på kortniveau og den termiske ydeevne?
TO-263-pakken til overflademontering muliggør loddevarmeoverførsel til printkortkobberplaner og understøtter højere tab i kompakte SMT-layouts.
Hvilke begrænsninger for portdrev skal designere overholde for at undgå skader?
Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V for at forhindre gate-oxid-belastning og potentiel fejl.
Hvor mange eksterne forbindelser har enheden til kredsløbsintegration?
Den har tre ben, der er i overensstemmelse med standard 1-kanals MOSFET-forbindelser til drain, source og gate.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 10 A 400 V Forbedring TO-263, IRF740S
- Vishay N-Kanal Enkelt 10 A 400 V TO-263
- Vishay N-Kanal 10 A 400 V TO-263, IRF740AS
- Vishay N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-263, IRF830A
- Vishay N-Kanal 9.2 A 600 V Forbedring TO-263, IRFS9N60A
- Infineon N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Vishay N-Kanal 8 A 500 V Forbedring TO-263, IRF840S
- Vishay N-Kanal 22 A 600 V Forbedring TO-263, E