Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 10 A 400 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF740S
- RS-varenummer:
- 178-0832
- Producentens varenummer:
- IRF740SPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 641,80
(ekskl. moms)
Kr. 802,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 600 enhed(er) afsendes fra 22. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 12,836 | Kr. 641,80 |
| 100 - 200 | Kr. 10,912 | Kr. 545,60 |
| 250 + | Kr. 10,269 | Kr. 513,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-0832
- Producentens varenummer:
- IRF740SPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IRF740S | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 550mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IRF740S | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 550mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Bredde 9.65mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRF740S seriens Power MOSFET, 400 V maksimal drain source-spænding, 10 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRF740SPBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings, N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonterede anvendelser i industrielle elektroniske systemer. Den fungerer som en koblingstransistor, der er i stand til at håndtere betydelig spænding og strøm i krævende miljøer, velegnet til brug, hvor der kræves kompakt, kortmonteret strømkobling.
Egenskaber og fordele:
• 400 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 10 A kontinuerlig strøm understøtter moderate effektbelastninger • 125 W effekttab muliggør vedvarende termisk håndtering • 550 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i lav-til-mid-strømkredsløb • 63 nC typisk gate-ladning giver forudsigelige drevkrav • Maksimal driftstemperatur på 150 °C er velegnet til miljøer med høje temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til industrielle motordrevskiftetrin • Ideel til højspændingsstrømomformere og invertere • Anvendes til ekstra strømforsyninger i automatiseringsudstyr • Kan bruges til halvlederrelæer og omskiftermoduler • Anvendes med overflademonterede enheder, der kræver TO-263-montering
Hvilken monteringstype kræver den på et printkort?
Den leveres i en TO-263-pakke til overflademontering med tre ben, der er designet til lodning på kortniveau og varmeledning til et printkortkobberområde.
Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde?
Port-til-kilde-spændingen må ikke overstige 20 V for at undgå port-oxid-belastning og potentiel enhedsfejl.
Hvordan skal termisk styring tilgås i konstruktioner?
Designere bør bruge et tilstrækkeligt kobberområde eller varmeafledere på printkortet til at sprede op til 125 W under specificerede forhold og opretholde samletemperaturer under grænsen på 150 °C.
Hvilket omgivelsestemperaturområde kan den tolerere under drift?
Enheden er klassificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug over en bred vifte af omgivelsestemperaturer.
Hvilke egenskaber påvirker størrelsen på koblingsdrevet?
Den typiske gate-ladning på 63 nC bestemmer den drevstrøm og overgangstider, der kræves fra gate-driveren for at opnå den ønskede skiftehastighed.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 10 A 400 V Forbedring TO-263, IRF740S
- Infineon Type N-Kanal 400 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 9 A 400 V Forbedring TO-263, SuperMESH
- Infineon Type N-Kanal 120 A Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A Forbedring iPB AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 10 A 400 V TO-263
- Vishay N-kanal-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, SIHB21N80AE
