Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 10 A 400 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF740S

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 641,80

(ekskl. moms)

Kr. 802,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 12,836Kr. 641,80
100 - 200Kr. 10,912Kr. 545,60
250 +Kr. 10,269Kr. 513,45

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-0832
Producentens varenummer:
IRF740SPBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10A

Drain source spænding maks. Vds

400V

Emballagetype

TO-263

Serie

IRF740S

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

550mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

63nC

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

9.65mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

4.83mm

Længde

10.67mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay IRF740S seriens Power MOSFET, 400 V drain source-spænding, 10 A kontinuerlig drain-strøm - IRF740SPBF


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømkonverteringsroller i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er beregnet til anvendelser, der kræver kontrolleret gate-drev og robust strømhåndtering, samtidig med at den overholder RoHS-direktiver.

Egenskaber og fordele:


• 400 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 10 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 125 W effekttabskapacitet forbedrer det termiske rum
• 550 mΩ Rds(on) balancerer ledningstab og styringsenkelhed
• 63 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd
• 20 V maks. gate-source-klassificering beskytter gate-drive-design

Anvendelser


• Velegnet til switch-mode strømforsyninger i industrielt udstyr
• Ideel til højspændingsmotortrin og invertere
• Anvendes sammen med isolerede gate-drivere i konvertere til vedvarende energi
• Kan bruges til DC-DC-omformere, der håndterer moderate strømme
• Velegnet til strømstyring på tætbefolkede SMT-kort

Hvilke ekstreme temperaturer kan denne enhed tolerere under drift?


Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C og dækker typiske kommercielle og udvidede industrielle områder.

Hvordan påvirker pakken monteringen på kortniveau og den termiske ydeevne?


TO-263-pakken til overflademontering muliggør loddevarmeoverførsel til printkortkobberplaner og understøtter højere tab i kompakte SMT-layouts.

Hvilke begrænsninger for portdrev skal designere overholde for at undgå skader?


Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V for at forhindre gate-oxid-belastning og potentiel fejl.

Hvor mange eksterne forbindelser har enheden til kredsløbsintegration?


Den har tre ben, der er i overensstemmelse med standard 1-kanals MOSFET-forbindelser til drain, source og gate.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.