Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 400 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TO-263, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 168-6005
- Producentens varenummer:
- IRFS3004TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 9.615,20
(ekskl. moms)
Kr. 12.019,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 800 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | Kr. 12,019 | Kr. 9.615,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-6005
- Producentens varenummer:
- IRFS3004TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 400A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.25mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 380W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 160nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.65mm | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 400A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.25mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 380W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 160nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.65mm | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal Power MOSFET 40 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 400 A 40 V D2PAK-7, HEXFET IRFS3004TRL7PP
- Infineon N-Kanal 478 A. 40 V D2PAK-7, HEXFET IRL40SC209
- Infineon N-Kanal 557 A. 40 V D2PAK-7, HEXFET IRL40SC228
- Infineon N-Kanal 380 A 40 V D2PAK-7, HEXFET IRLS3034TRL7PP
- Infineon N-Kanal 320 A 40 V D2PAK-7, HEXFET AUIRF2804STRL7P
- Infineon N-Kanal 522 A 40 V D2PAK-7, HEXFET IRFS7430TRL7PP
- Infineon N-Kanal 523 A. 40 V D2PAK-7, HEXFET AUIRFSA8409-7TRL
- Infineon N-Kanal 295 A 40 V HEXFET IRFS7437TRL7PP
