Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 10 A 400 V, 3 Ben, TO-263, IRF740AS
- RS-varenummer:
- 256-7276
- Producentens varenummer:
- IRF740ASPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 659,75
(ekskl. moms)
Kr. 824,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 22. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 13,195 | Kr. 659,75 |
| 100 - 450 | Kr. 10,833 | Kr. 541,65 |
| 500 - 950 | Kr. 9,091 | Kr. 454,55 |
| 1000 + | Kr. 7,851 | Kr. 392,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7276
- Producentens varenummer:
- IRF740ASPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Serie | IRF740AS | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.55Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 10V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Serie IRF740AS | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.55Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 10V | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRF740AS seriens Power MOSFET, 400 V maksimal drain source-spænding, 10 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRF740ASPBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømstyringsopgaver i industrielle elektroniske systemer. Den leveres i en overflademonteret TO-263-pakke, der er velegnet til montering på kortniveau, og er beregnet til brug, hvor der kræves robust spændingshåndtering og betydelig strømkapacitet.
Egenskaber og fordele:
• 400 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 10 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende belastningskørsel
• 0,55 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 125 W effekttab muliggør betydelig termisk belastningshåndtering
• 36 nC typisk gate-ladning muliggør reaktive skifteovergange
• ±150 °C driftsområde understøtter miljøer med forhøjede temperaturer
• 10 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende belastningskørsel
• 0,55 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 125 W effekttab muliggør betydelig termisk belastningshåndtering
• 36 nC typisk gate-ladning muliggør reaktive skifteovergange
• ±150 °C driftsområde understøtter miljøer med forhøjede temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til strømomformere i automatiseringsudstyr
• Ideel til højspændingsmotordrevstrin
• Anvendes til switch-mode strømforsyninger i industriel elektronik
• Kan bruges til belastningsswitching i strømfordelingsmoduler
• Anvendes sammen med varmestyringssystemer i barske miljøer
• Ideel til højspændingsmotordrevstrin
• Anvendes til switch-mode strømforsyninger i industriel elektronik
• Kan bruges til belastningsswitching i strømfordelingsmoduler
• Anvendes sammen med varmestyringssystemer i barske miljøer
Hvilken pakke og monteringstype bruger den til printmontering?
Den leveres i en TO-263-pakke til overflademontering med tre ben til direkte SMD-fastgørelse.
Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde?
Porten skal holdes inden for ±10 V i forhold til kilden for at undgå at overskride port-kilde-klassificering.
Hvordan opfører den sig termisk under kontinuerlig belastning?
Den kan sprede op til 125 W
en passende køleplade eller et termisk kortdesign er påkrævet for at styre forbindelsestemperaturen.
Er der miljømæssige eller godkendelsesmæssige hensyn, når det specificeres?
Den er i overensstemmelse med RoHS-standarder for begrænsede stoffer.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 10 A 400 V TO-263
- Vishay Type N-Kanal 10 A 400 V Forbedring TO-263, IRF740S
- Vishay Type N-Kanal 24 A 650 V, TO-263
- Vishay Type N-Kanal 15 A 600 V, TO-263
- Vishay Type N-Kanal 120 A 40 V, TO-263
- Vishay Type N-Kanal 120 A 60 V, TO-263
- Vishay N-kanal 90 A 200 V TO-263
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 11 A 500 V, TO-263