Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 10 A 400 V, 3 Ben, TO-263, IRF740AS

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 115,34

(ekskl. moms)

Kr. 144,18

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 890 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 5Kr. 23,068Kr. 115,34
10 - 20Kr. 21,108Kr. 105,54
25 - 95Kr. 20,66Kr. 103,30
100 - 495Kr. 17,264Kr. 86,32
500 +Kr. 14,542Kr. 72,71

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
256-7277
Producentens varenummer:
IRF740ASPBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10A

Drain source spænding maks. Vds

400V

Emballagetype

TO-263

Serie

IRF740AS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.55Ω

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Portkildespænding maks.

10V

Gennemgangsspænding Vf

2V

Driftstemperatur maks.

+150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

4.83mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay IRF740AS seriens Power MOSFET, 400 V drain source spænding, 125 W effekttab - IRF740ASPBF


Denne effekt-MOSFET er en højspændings, N-kanals koblingsenhed, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser. Den er beregnet til brug, hvor der kræves robust omskiftning af høje afløbsspændinger, og den fungerer over et bredt temperaturområde til krævende termiske miljøer.

Egenskaber og fordele:


• 400 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 10 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 0.55 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i koblingstrin
• 125 W effekttab giver mulighed for betydelig termisk gennemgang
• 36 nC typisk gate-ladning letter kontrollerede skifteovergange
• 10 V gate-tolerance passer til almindelige drevspændingsarkitekturer

Anvendelser


• Velegnet til switch-mode strømforsyninger i industrielle systemer
• Ideel til frontender til højspændingsmotordrivere
• Anvendes til strømkonvertering i vekselrettere til vedvarende energi
• Kan bruges til ekstra strømskinner i telekommunikationsudstyr
• Anvendes i allround højspændingskredsløb

Hvilken hustype skal jeg forvente for hensyn til kortlayout?


Den leveres i en TO-263-pakke, der er beregnet til overflademontering, hvilket muliggør varmeafledning via printkortet og giver mulighed for større strømbaner.

Hvilke ekstreme omgivelsestemperaturer kan enheden modstå under drift?


Transistoren er mærket til at fungere over et driftstemperaturområde fra -55 °C op til +150 °C, der passer både til lavtemperaturstarter og høje termiske forhold.

Hvordan påvirker gate-drevet switching-ydeevnen?


Med en typisk gate-ladning på 36 nC ved et 10 V gate-drev skal koblingshastighed og gate-drev-strømkrav balanceres for at håndtere overgangstab og EMI.

Hvilken type ledningsevne bruger enheden til omskiftning?


Den anvender en N-kanal-ledningskanal, der er velegnet til lav- og høj-side-arrangementer afhængigt af kredsløbstopologien.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.