Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 10 A 400 V, 3 Ben, TO-263, IRF740AS
- RS-varenummer:
- 256-7277
- Producentens varenummer:
- IRF740ASPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 115,34
(ekskl. moms)
Kr. 144,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 890 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 23,068 | Kr. 115,34 |
| 10 - 20 | Kr. 21,108 | Kr. 105,54 |
| 25 - 95 | Kr. 20,66 | Kr. 103,30 |
| 100 - 495 | Kr. 17,264 | Kr. 86,32 |
| 500 + | Kr. 14,542 | Kr. 72,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7277
- Producentens varenummer:
- IRF740ASPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IRF740AS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.55Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Portkildespænding maks. | 10V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IRF740AS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.55Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Portkildespænding maks. 10V | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRF740AS seriens Power MOSFET, 400 V drain source spænding, 125 W effekttab - IRF740ASPBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings, N-kanals koblingsenhed, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser. Den er beregnet til brug, hvor der kræves robust omskiftning af høje afløbsspændinger, og den fungerer over et bredt temperaturområde til krævende termiske miljøer.
Egenskaber og fordele:
• 400 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 10 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 0.55 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i koblingstrin
• 125 W effekttab giver mulighed for betydelig termisk gennemgang
• 36 nC typisk gate-ladning letter kontrollerede skifteovergange
• 10 V gate-tolerance passer til almindelige drevspændingsarkitekturer
• 10 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 0.55 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i koblingstrin
• 125 W effekttab giver mulighed for betydelig termisk gennemgang
• 36 nC typisk gate-ladning letter kontrollerede skifteovergange
• 10 V gate-tolerance passer til almindelige drevspændingsarkitekturer
Anvendelser
• Velegnet til switch-mode strømforsyninger i industrielle systemer
• Ideel til frontender til højspændingsmotordrivere
• Anvendes til strømkonvertering i vekselrettere til vedvarende energi
• Kan bruges til ekstra strømskinner i telekommunikationsudstyr
• Anvendes i allround højspændingskredsløb
• Ideel til frontender til højspændingsmotordrivere
• Anvendes til strømkonvertering i vekselrettere til vedvarende energi
• Kan bruges til ekstra strømskinner i telekommunikationsudstyr
• Anvendes i allround højspændingskredsløb
Hvilken hustype skal jeg forvente for hensyn til kortlayout?
Den leveres i en TO-263-pakke, der er beregnet til overflademontering, hvilket muliggør varmeafledning via printkortet og giver mulighed for større strømbaner.
Hvilke ekstreme omgivelsestemperaturer kan enheden modstå under drift?
Transistoren er mærket til at fungere over et driftstemperaturområde fra -55 °C op til +150 °C, der passer både til lavtemperaturstarter og høje termiske forhold.
Hvordan påvirker gate-drevet switching-ydeevnen?
Med en typisk gate-ladning på 36 nC ved et 10 V gate-drev skal koblingshastighed og gate-drev-strømkrav balanceres for at håndtere overgangstab og EMI.
Hvilken type ledningsevne bruger enheden til omskiftning?
Den anvender en N-kanal-ledningskanal, der er velegnet til lav- og høj-side-arrangementer afhængigt af kredsløbstopologien.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 10 A 400 V TO-263, IRF740AS
- Vishay N-Kanal 10 A 400 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF740A
- Vishay N-Kanal Enkelt 10 A 400 V TO-263
- Vishay N-Kanal 10 A 400 V Forbedring TO-263, IRF740S
- Vishay N-Kanal Enkelt 11 A 500 V, TO-263
- Vishay N-Kanal 24 A 650 V TO-263, E
- Vishay N-Kanal 15 A 600 V TO-263, E
- Vishay N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-263, IRF830A
