Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 9.2 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRFS9N60A
- RS-varenummer:
- 542-9995
- Producentens varenummer:
- IRFS9N60APBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 27,75
(ekskl. moms)
Kr. 34,69
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 597 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 27,75 |
| 10 - 49 | Kr. 25,06 |
| 50 - 99 | Kr. 23,49 |
| 100 - 249 | Kr. 20,79 |
| 250 + | Kr. 19,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 542-9995
- Producentens varenummer:
- IRFS9N60APBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | IRFS9N60A | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 750mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 49nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie IRFS9N60A | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 750mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 9.65mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRFS9N60A seriens Power MOSFET, 600 V maksimal drain source-spænding, 9,2 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFS9N60APBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanalenhed, der er designet til koblings- og strømkonverteringsopgaver i industrielle og elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til overflademonteret integration på strømforsyningsenheder, hvor der kræves højspændingskapacitet og robust termisk håndtering.
Egenskaber og fordele:
• 600 V drain-modstandsdygtig spænding, der muliggør højspændingsswitching
• 9,2 A kontinuerlig afløbsstrøm for stabil belastningshåndtering
• 750 mΩ modstand ved tænding minimerer ledningstab
• 49 nC typisk gate-ladning for forudsigelig koblingsenergi
• 170 W effekttab understøtter forhøjet effektgennemstrømning
• 150 °C maksimal samletemperatur til drift ved høje temperaturer
• 9,2 A kontinuerlig afløbsstrøm for stabil belastningshåndtering
• 750 mΩ modstand ved tænding minimerer ledningstab
• 49 nC typisk gate-ladning for forudsigelig koblingsenergi
• 170 W effekttab understøtter forhøjet effektgennemstrømning
• 150 °C maksimal samletemperatur til drift ved høje temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til SMPS primære omskifterfunktioner i strømforsyninger
• Ideel til højspændingsomformere i industrielle drev
• Anvendes til switch-mode motorstyringer, der håndterer høje spændinger
• Kan bruges til effektfaktorkorrektion af front-end-kredsløb
• Ideel til højspændingsomformere i industrielle drev
• Anvendes til switch-mode motorstyringer, der håndterer høje spændinger
• Kan bruges til effektfaktorkorrektion af front-end-kredsløb
Hvilket monteringsformat kræver den til montering?
Den leveres til overflademontering i en TO-263-pakke med tre ben, der passer til standard varmesænkede printkortfodaftryk.
Hvilke portgrænser skal overholdes for at undgå skader?
Porten må ikke drives ud over ±30 V i forhold til kilden for at forhindre overbelastning af portoxid.
Hvordan påvirker termisk styring ydeevnen?
Med 170 W nominel tab og en maksimal samletemperatur på 150 °C er der behov for tilstrækkeligt printkortkobber og varmeafledere til at opretholde samletemperatur under kraftig belastning.
Hvilke miljømæssige specifikationer påvirker valg af materialer?
Komponenten er i overensstemmelse med RoHS-kravene, hvilket påvirker valg af lodning og materialer i monteringen.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 9.2 A 600 V Forbedring TO-263, IRFS
- Vishay Type N-Kanal 14 A 250 V Forbedring TO-263, IRF
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-263, IRF
- Vishay Type N-Kanal 9.2 A 600 V Forbedring TO-220, IRFB9N60A
- ROHM Type N-Kanal 24 A 600 V Forbedring TO-263, R6024ENJ
- onsemi Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-263, SuperFET
- onsemi Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-263, SuperFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-263, STB