Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 9.2 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRFS Nej IRFS9N60APBF
- RS-varenummer:
- 542-9995
- Producentens varenummer:
- IRFS9N60APBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 14,44
(ekskl. moms)
Kr. 18,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 617 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 14,44 |
| 10 - 49 | Kr. 13,02 |
| 50 - 99 | Kr. 12,19 |
| 100 - 249 | Kr. 10,85 |
| 250 + | Kr. 9,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 542-9995
- Producentens varenummer:
- IRFS9N60APBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | IRFS | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 750mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 49nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie IRFS | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 750mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 600 V til 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 9.2 A 600 V Forbedring TO-263, IRFS Nej
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-263, IRF Nej
- Vishay Type N-Kanal 14 A 250 V Forbedring TO-263, IRF Nej
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-263, IRF Nej IRF510SPBF
- Vishay Type N-Kanal 14 A 250 V Forbedring TO-263, IRF Nej IRF644SPBF
- Vishay Type N-Kanal 9.2 A 600 V Forbedring TO-220, IRFB9N60A Nej
- Vishay Type N-Kanal 9.2 A 600 V Forbedring TO-220, IRFB9N60A Nej IRFB9N60APBF
- Infineon Type N-Kanal 11.4 A 600 V Forbedring TO-263, CoolMOS Nej