Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 9.2 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRFS9N60A

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 27,75

(ekskl. moms)

Kr. 34,69

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 590 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 27,75
10 - 49Kr. 25,06
50 - 99Kr. 23,49
100 - 249Kr. 20,79
250 +Kr. 19,15

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
542-9995
Producentens varenummer:
IRFS9N60APBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.2A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IRFS9N60A

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

750mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

-30V, +30V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

49nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

170W

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

4.83mm

Længde

10.67mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

9.65mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay IRFS9N60A seriens Power MOSFET, 600 V drain source spænding, 9,2 A kontinuerlig drain strøm - IRFS9N60APBF


Denne effekt-MOSFET er en højspændings, N-kanals koblingstransistor, der er designet til overflademonterede anvendelser, hvor der kræves robust termisk og elektrisk ydeevne. Den fungerer over et udvidet omgivende område og er beregnet til brug i strømkonvertering, kobling og højspændingskredsløb, der kræver en kombination af strømstyrke og spændingsholdbarhed.

Egenskaber og fordele:


• 600 V drain-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 9,2 A kontinuerlig strømkapacitet understøtter moderate belastninger
• 750 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 170 W maks. tab giver mulighed for betydelig effektgennemstrømning
• 49 nC typisk gate-ladning optimerer koblingsdynamikken
• 30 V gate-tærskel giver mulighed for almindelige gate-drivspændinger

Anvendelser


• Velegnet til offline switch-mode strømforsyninger
• Ideel til højspændingsmotordrevstrin
• Anvendes til invertere og konvertere til vedvarende energi
• Kan bruges til industrielle strømstyringer
• Velegnet til højspændingsbelysnings- og forkoblingsdesign

Hvilke termiske ekstremer kan den tolerere under drift?


Enheden er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i en lang række termiske miljøer.

Hvordan er komponenten pakket til montering på kort?


Den leveres i en TO-263-pakke, der er beregnet til overflademontering, hvilket letter varmeafledning og automatiseret samling.

Hvilke gate-drive-spændingsgrænser skal overholdes?


Den maksimale gate-til-kilde-spænding er 30 V, som ikke bør overskrides for at undgå beskadigelse af gate-oxid.

Bruger enheden forstærkning eller udtømningstilstand?


Det er en N-kanal MOSFET med forbedringstilstand, der kræver et positivt gate-drev i forhold til kilden til ledning.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.