Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 5.6 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF
- RS-varenummer:
- 178-0860
- Producentens varenummer:
- IRF510SPBF
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 311,45
(ekskl. moms)
Kr. 389,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 5.150 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 6,229 | Kr. 311,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-0860
- Producentens varenummer:
- IRF510SPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IRF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 540mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.3nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.7W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IRF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 540mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.3nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.7W | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-263, IRF
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 14 A 250 V Forbedring TO-263, IRF
- Vishay Type N-Kanal 9.2 A 600 V Forbedring TO-263, IRFS
- Vishay Type N-Kanal 2.5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 3.3 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 2 A 400 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 10 A 400 V Forbedring TO-220, IRF