onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 67 A 120 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, FDMS
- RS-varenummer:
- 178-4409
- Producentens varenummer:
- FDMS4D0N12C
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
Pr. stk. (på Rulle á 3000)
Kr. 34.410,00
(ekskl. moms)
Kr. 43.012,50
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 178-4409
- Producentens varenummer:
- FDMS4D0N12C
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 67A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | FDMS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 106W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.05mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 67A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie FDMS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 106W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.05mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Denne N-kanal MV MOSFET er produceret med en avanceret PowerTrench® proces, der omfatter skærmet gate-teknologi. Denne proces er blevet optimeret til at minimere modstand i ledetilstand og alligevel bevare uovertruffen switching-ydelse med en best-in-class blød husdiode
Skærmet Gate MOSFET-teknologi
Maks. rDS(on) = 4,0 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 67 A
Maks. rDS(on) = 8,0 mΩ ved VGS = 6 V, ID = 33 A
50 % lavere Qrr end andre MOSFET-leverandører
Sænker switching-støj/EMI
MSL1 robust husdesign
Anvendelsesområder:
Dette produkt er til generel brug og velegnet til mange forskellige opgaver.
Slutprodukter:
AC-DC- og DC-DC-strømforsyninger
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 67 A 120 V Forbedring PQFN, FDMS
- onsemi Type N-Kanal 116 A 80 V Forbedring PQFN, FDMS
- onsemi Type N-Kanal 32 A 80 V Forbedring PQFN, NTMFS006N08MC
- onsemi Type N-Kanal 124 A 100 V Forbedring PQFN, FDMS86181
- onsemi Type N-Kanal 150 A 25 V Forbedring PQFN, Power
- onsemi Type N-Kanal 61 A 150 V Forbedring PQFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 150 A 40 V Forbedring PQFN, NTTF
- onsemi Type N-Kanal 103 A 60 V Forbedring PQFN, NTTF