onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 67 A 120 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, FDMS Nej

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
178-4251
Producentens varenummer:
FDMS4D0N12C
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

67A

Drain source spænding maks. Vds

120V

Emballagetype

PQFN

Serie

FDMS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

106W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

6 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Højde

1.05mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH
Denne N-kanal MV MOSFET er produceret med en avanceret PowerTrench® proces, der omfatter skærmet gate-teknologi. Denne proces er blevet optimeret til at minimere modstand i ledetilstand og alligevel bevare uovertruffen switching-ydelse med en best-in-class blød husdiode

Skærmet Gate MOSFET-teknologi

Maks. rDS(on) = 4,0 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 67 A

Maks. rDS(on) = 8,0 mΩ ved VGS = 6 V, ID = 33 A

50 % lavere Qrr end andre MOSFET-leverandører

Sænker switching-støj/EMI

MSL1 robust husdesign

Anvendelsesområder:

Dette produkt er til generel brug og velegnet til mange forskellige opgaver.

Slutprodukter:

AC-DC- og DC-DC-strømforsyninger

Relaterede links