onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, FDD AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 128,36

(ekskl. moms)

Kr. 160,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 5.820 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 12,836Kr. 128,36
100 - 240Kr. 11,07Kr. 110,70
250 +Kr. 9,597Kr. 95,97

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-4442
Producentens varenummer:
FDD86250-F085
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TO-252

Serie

FDD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

28nC

Effektafsættelse maks. Pd

160W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.25V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.39mm

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
PH
N-kanal skærmet gate PowerTrench® MOSFET 150 V, 50 A, 22 mΩ

Typisk RDS(on) = 19,4 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 20 A

Typisk Qg(tot) = 28 nC ved VGS = 10 V, ID = 40 A

UIS-kapacitet

Anvendelsesområder:

Bilmotorstyring

Kraftoverføringsstyring

Magnetventil og motordrivere

Distribueret effektarkitektur og VRM

Primær switch til 12 V systemer

Slutprodukter:

Integreret starter/generator

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.