onsemi N-Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, FDD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-4442
- Producentens varenummer:
- FDD86250-F085
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 130,53
(ekskl. moms)
Kr. 163,16
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 5.820 enhed(er) afsendes fra 08. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 13,053 | Kr. 130,53 |
| 100 - 240 | Kr. 11,257 | Kr. 112,57 |
| 250 + | Kr. 9,754 | Kr. 97,54 |
*Vejledende pris
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
Pr. stk. (på Rulle á 2500)
Kr. 14.720,00
(ekskl. moms)
Kr. 18.400,00
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 178-4442
- Producentens varenummer:
- FDD86250-F085
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | FDD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 160W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.25V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.39mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie FDD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 160W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.25V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.39mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N-kanal skærmet gate PowerTrench® MOSFET 150 V, 50 A, 22 mΩ
Typisk RDS(on) = 19,4 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 20 A
Typisk Qg(tot) = 28 nC ved VGS = 10 V, ID = 40 A
UIS-kapacitet
Anvendelsesområder:
Bilmotorstyring
Kraftoverføringsstyring
Magnetventil og motordrivere
Distribueret effektarkitektur og VRM
Primær switch til 12 V systemer
Slutprodukter:
Integreret starter/generator