onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, FDD AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 94,66

(ekskl. moms)

Kr. 118,32

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 9,466Kr. 94,66
100 - 240Kr. 8,16Kr. 81,60
250 +Kr. 7,081Kr. 70,81

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-4442
Producentens varenummer:
FDD86250-F085
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

FDD

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.25V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

160W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

28nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.39mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
PH
N-kanal skærmet gate PowerTrench® MOSFET 150 V, 50 A, 22 mΩ

Typisk RDS(on) = 19,4 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 20 A

Typisk Qg(tot) = 28 nC ved VGS = 10 V, ID = 40 A

UIS-kapacitet

Anvendelsesområder:

Bilmotorstyring

Kraftoverføringsstyring

Magnetventil og motordrivere

Distribueret effektarkitektur og VRM

Primær switch til 12 V systemer

Slutprodukter:

Integreret starter/generator

Relaterede links