onsemi N-Kanal, MOSFET, 17 A 650 V, 3 ben, TO-220F FCPF190N65S3R0L
- RS-varenummer:
- 178-4523P
- Producentens varenummer:
- FCPF190N65S3R0L
- Brand:
- onsemi
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 178-4523P
- Producentens varenummer:
- FCPF190N65S3R0L
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 17 A | |
| Drain source spænding maks. | 650 V | |
| Kapslingstype | TO-220F | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 190 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4.5V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2.5V | |
| Effektafsættelse maks. | 33 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | ±30 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 33 nC ved 10 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Længde | 10.3mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Højde | 15.7mm | |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.2V | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 17 A | ||
Drain source spænding maks. 650 V | ||
Kapslingstype TO-220F | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 190 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4.5V | ||
Mindste tærskelspænding for port 2.5V | ||
Effektafsættelse maks. 33 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. ±30 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 33 nC ved 10 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bredde 4.6mm | ||
Længde 10.3mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Højde 15.7mm | ||
Gennemgangsspænding for diode 1.2V | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Dermed medvirker SUPERFET III MOSFET Easy drive til at håndtere EMI-problemer og giver mulighed for nemmere designimplementering.
700 V ved TJ = 150 °C
Lavt effektiv udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 300 pF)
Meget lav portopladning (typ. Qg = 33 nC)
Optimeret kapacitet
Typ. RDS(on) = 159 mΩ
Indvendig portmodstand: 0,5 Ω
Fordele:
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Tabsfattigt skift
Tabsfattigt skift
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Anvendelsesområder:
Databehandling
Forbruger
Industriel
Slutprodukter:
Notebook/stationær computer/spilkonsol
Telekommunikation/server
LCD-/LED-TV'er
LED-belysning/forkobling
Adapter
Lavt effektiv udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 300 pF)
Meget lav portopladning (typ. Qg = 33 nC)
Optimeret kapacitet
Typ. RDS(on) = 159 mΩ
Indvendig portmodstand: 0,5 Ω
Fordele:
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Tabsfattigt skift
Tabsfattigt skift
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Anvendelsesområder:
Databehandling
Forbruger
Industriel
Slutprodukter:
Notebook/stationær computer/spilkonsol
Telekommunikation/server
LCD-/LED-TV'er
LED-belysning/forkobling
Adapter
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 7 A 650 V TO-220F, QFET FQPF7N65C
- onsemi N-Kanal 7 A 600 V TO-220F, SuperFET FCPF7N60
- onsemi N-Kanal 15 3 ben QFET FQPF20N06L
- onsemi N-Kanal 35 A 100 V TO-220F, QFET FQPF70N10
- onsemi N-Kanal 10 A 60 V TO-220F, QFET FQPF13N06L
- onsemi N-Kanal 16 A 600 V TO-220F, SupreMOS FCPF16N60NT
- onsemi N-Kanal 11 3 ben UniFET FDPF12N50FT
- onsemi N-Kanal 6.6 A 800 V TO-220F, QFET FQPF7N80C
