onsemi N-Kanal, MOSFET, 4 A 500 V, 3 ben, TO-220F, UniFET FDPF5N50UT

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
864-8619
Producentens varenummer:
FDPF5N50UT
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

4 A

Drain source spænding maks.

500 V

Serie

UniFET

Kapslingstype

TO-220F

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

2 Ω

Kanalform

Enhancement

Mindste tærskelspænding for port

3V

Effektafsættelse maks.

28 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Længde

10.36mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Transistormateriale

Si

Bredde

4.9mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

11 nC ved 10 V

Antal elementer per chip

1

Højde

16.07mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

COO (Country of Origin):
CN

UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.
UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.


MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links