Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.8 A 150 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8 Nej

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
180-7322
Producentens varenummer:
SI7898DP-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.8A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

PowerPAK SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.085Ω

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21

Højde

1.12mm

Længde

6.25mm

Bredde

5.26 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret N-kanal PowerPAK-SO-8 MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 150 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 85 mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 5 W og kontinuerlig drænstrøm på 4,8 A. Den har en min. og en maks. driftsspænding på henholdsvis 6 V og 10 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb) komponent

• nyt PowerPAK hus med lav termisk modstand og lav 1,07 mm profil

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• PWM optimeret

• TrenchFET Power MOSFET til hurtig omskiftning

Anvendelsesområder


• DC/DC-strømforsyning af primære sideafbrydere

• industrielle motordrev

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

Relaterede links