Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.8 A 150 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8 Nej SI7898DP-T1-E3

RS-varenummer:: 180-7862
Producentens varenummer:: SI7898DP-T1-E3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.8 A 150 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8 Nej SI7898DP-T1-E3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 58,27

(ekskl. moms)

Kr. 72,84

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 2.590 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 45	Kr. 11,654	Kr. 58,27
50 - 120	Kr. 10,502	Kr. 52,51
125 - 245	Kr. 8,512	Kr. 42,56
250 - 495	Kr. 6,882	Kr. 34,41
500 +	Kr. 6,194	Kr. 30,97

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7862
Producentens varenummer:: SI7898DP-T1-E3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	4.8A
	Drain source spænding maks. Vds	150V
	Emballagetype	PowerPAK SO-8
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.085Ω
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	21nC
	Portkildespænding maks.	±20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	5W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	1.12mm
	Standarder/godkendelser	IEC 61249-2-21
	Bredde	5.26 mm
	Længde	6.25mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.8A
	Drain source spænding maks. Vds 150V
	Emballagetype PowerPAK SO-8
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.085Ω
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC
	Portkildespænding maks. ±20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 5W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 1.12mm
	Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21
	Bredde 5.26 mm
	Længde 6.25mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret N-kanal PowerPAK-SO-8 MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 150 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 85 mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 5 W og kontinuerlig drænstrøm på 4,8 A. Den har en min. og en maks. driftsspænding på henholdsvis 6 V og 10 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb) komponent

• nyt PowerPAK hus med lav termisk modstand og lav 1,07 mm profil

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• PWM optimeret

• TrenchFET Power MOSFET til hurtig omskiftning

Anvendelsesområder

• DC/DC-strømforsyning af primære sideafbrydere

• industrielle motordrev

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet