Vishay N-Kanal, MOSFET, 3.5 A 8 V Forbedring, 4 Ben, Microfoot, SI8802DB

RS-varenummer:: 180-7724
Producentens varenummer:: SI8802DB-T2-E1
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, 3.5 A 8 V Forbedring, 4 Ben, Microfoot, SI8802DB

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 67,77

(ekskl. moms)

Kr. 84,73

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
25 +	Kr. 2,711	Kr. 67,78

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7724
Producentens varenummer:: SI8802DB-T2-E1
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	3.5A
	Drain source spænding maks. Vds	8V
	Serie	SI8802DB
	Emballagetype	Microfoot
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	54mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	0.6W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	5V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	4.3nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	800μm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bredde	800μm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A
	Drain source spænding maks. Vds 8V
	Serie SI8802DB
	Emballagetype Microfoot
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 54mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 0.6W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 5V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.3nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 800μm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bredde 800μm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

Vishay SI8802DB seriens MOSFET, 3,5 A maksimal kontinuerlig drain-strøm, 8 V maksimal drain-kildespænding - SI8802DB-T2-E1

Denne n-kanal-forbedrings-MOSFET er designet til lavspændingskoblings- og strømstyringsopgaver i kompakte overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til konstruktioner, der kræver et lille fodaftryk og moderat kontinuerlig strømkapacitet. Enheden er i overensstemmelse med RoHS-kravene og leveres i en meget kompakt mikropakke til kortlayouter med høj tæthed.

Egenskaber og fordele:

• 54 mΩ modstand ved tænding reducerer ledningstab og varmeudvikling
• 8 V drain-source mærkeværdi muliggør lavspændingstrin
• 3,5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 4.3 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere skifteovergange
• 0.6 W maks. effekttab begrænser termisk belastning under belastning
• Driftstemperaturområde fra -55 °C til 150 °C sikrer bred termisk tolerance

Anvendelser

• Velegnet til batteridrevet lavspændings DC-strømkobling
• Ideel til kompakte strømstyringsmoduler på små printkort
• Anvendes sammen med motor-driver-trin, der kræver hurtig omskiftning
• Kan bruges til omskiftning af strømskinne til bærbare enheder
• Anvendes til belastningsswitching i tætte overflademonterede enheder

Hvilket antal ben og monteringstype bruger den?

Den leveres som en 4-benet enhed beregnet til overflademontering i en mikro-footprint-pakke.

Hvordan begrænser dens termiske ydeevne printkortdesign?

Med en maksimal dissipation på 0,6 W og en lille pakke anbefales et tilstrækkeligt kobberareal eller termiske ledninger for at sprede varme og forhindre lokaliseret temperaturstigning.

Hvilke overvejelser om gating anbefales for hurtig omskiftning?

Den typiske gate-ladning på 4,3 nC ved den specificerede gate-spænding kræver drivertrin, der er i stand til at forsyne og sænke tilstrækkelig strøm for at opnå de ønskede kanthastigheder.

Hvilke spændingsgrænser skal overholdes for sikker drift?

Enheden må ikke overstige en 8 V drain-kilde-differential og en 5 V gate-kilde-amplitude for at forblive inden for de angivne elektriske grænser.