Vishay 1 N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 26 A 500 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 112,74

(ekskl. moms)

Kr. 140,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 280 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 22,548Kr. 112,74
50 - 120Kr. 20,744Kr. 103,72
125 - 245Kr. 19,144Kr. 95,72
250 - 495Kr. 18,038Kr. 90,19
500 +Kr. 16,888Kr. 84,44

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-7790
Producentens varenummer:
SIHP25N50E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Serie

E

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.145Ω

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

86nC

Portkildespænding maks.

30V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

10.52mm

Højde

6.71mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

14.4mm

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay serie E Power MOSFET, 500 V drain-source spænding, 26 A kontinuerlig drain-strøm - SIHP25N50E-GE3


Denne effekt-MOSFET er en enkelt N-kanal-transistor i et TO-220AB-hus, der er designet til højspændingsswitching og strømkonverteringsopgaver. Den fungerer over et bredt omgivende temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig effekthåndtering og robuste gate-drive-egenskaber.

Egenskaber og fordele:


• 500 V drain-klassificering, der muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 26 A kontinuerlig afløbsstrøm til vedvarende belastningshåndtering
• 250 W maks. effekttab muliggør drift med høj effekt
• 0.145 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 86 nC typisk gate-ladning, der understøtter forudsigelig koblingsadfærd
• 30 V Vgs maksimum, der tillader almindelige gate-drivspændinger

Anvendelser


• Velegnet til industrielle strømforsyninger og omformere
• Ideel til switch-mode effekttopologier i invertere
• Anvendes til motordrevskredsløb, der kræver 500 V kapacitet
• Kan bruges til højspændingsrelæer og beskyttelsesswitching
• Anvendes med diskrete effekttrin i miljøer med høje temperaturer

Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?


Den fungerer over -55 °C til 150 °C og passer til kolde starter og høje driftsforhold.

Hvordan påvirker pakken varmestyringen?


TO-220AB-formatet giver mulighed for at bolte til en køleplade for forbedret varmeafledning og forbedret stabil termisk modstand.

Hvilke grænser for portdrev skal overholdes?


Hold gate-til-kilde-spændingen inden for ±30 V for at undgå at overskride enhedens gate-tærskeltolerancer.

Er enheden konfigureret til implementering med flere chips?


Indsatsen indeholder et enkelt element pr. chip, så parallellisering kræver omhyggeligt strømdelingskonstruktion.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.