Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 26 A 500 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E

RS-varenummer:: 180-7790
Producentens varenummer:: SIHP25N50E-GE3
Brand:: Vishay

Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 26 A 500 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 111,30

(ekskl. moms)

Kr. 139,10

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

Plus 280 enhed(er) afsendes fra 17. marts 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 45	Kr. 22,26	Kr. 111,30
50 - 120	Kr. 20,476	Kr. 102,38
125 - 245	Kr. 18,908	Kr. 94,54
250 - 495	Kr. 17,808	Kr. 89,04
500 +	Kr. 16,682	Kr. 83,41

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7790
Producentens varenummer:: SIHP25N50E-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	26A
	Drain source spænding maks. Vds	500V
	Emballagetype	JEDEC TO-220AB
	Serie	E
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	0.145Ω
	Portkildespænding maks.	±30 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	86nC
	Effektafsættelse maks. Pd	250W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	14.4mm
	Højde	6.71mm
	Bredde	10.52 mm
	Antal elementer per chip	1
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A
	Drain source spænding maks. Vds 500V
	Emballagetype JEDEC TO-220AB
	Serie E
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 0.145Ω
	Portkildespænding maks. ±30 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 86nC
	Effektafsættelse maks. Pd 250W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 14.4mm
	Højde 6.71mm
	Bredde 10.52 mm
	Antal elementer per chip 1
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay N-kanal TO-220AB-3 MOSFET til hulmontering er et nyt produkt i alderen med en kildespænding på 500 V og en maksimal gate-kildespænding på 30 V. Den har en drænkildemodstand på 145 mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 250 W og kontinuerlig drænstrøm på 26A. Den har en driftsspænding på 10 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• lav figure-of-Merit (FOM): Ron x QG

• lav gate-opladning (QG)

• lav indgangskapacitet (CISS)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• reduceret omskiftning og ledningstab

Anvendelsesområder

• hårde opologier med afbryder

• PC sølvboks/ATX strømforsyninger

• effektfaktorkorrektions-strømforsyninger (PFC)

• switch-mode strømforsyninger (SMPS)

• 2-trins LED-belysning

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• UIS-testet