Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 26 A 500 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E Nej SIHP25N50E-GE3
- RS-varenummer:
- 180-7790
- Producentens varenummer:
- SIHP25N50E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 111,30
(ekskl. moms)
Kr. 139,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 280 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 22,26 | Kr. 111,30 |
| 50 - 120 | Kr. 20,476 | Kr. 102,38 |
| 125 - 245 | Kr. 18,908 | Kr. 94,54 |
| 250 - 495 | Kr. 17,808 | Kr. 89,04 |
| 500 + | Kr. 16,682 | Kr. 83,41 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7790
- Producentens varenummer:
- SIHP25N50E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.145Ω | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 86nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Højde | 6.71mm | |
| Længde | 14.4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 10.52 mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie E | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.145Ω | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 86nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Højde 6.71mm | ||
Længde 14.4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 10.52 mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay N-kanal TO-220AB-3 MOSFET til hulmontering er et nyt produkt i alderen med en kildespænding på 500 V og en maksimal gate-kildespænding på 30 V. Den har en drænkildemodstand på 145 mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 250 W og kontinuerlig drænstrøm på 26A. Den har en driftsspænding på 10 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• lav figure-of-Merit (FOM): Ron x QG
• lav gate-opladning (QG)
• lav indgangskapacitet (CISS)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• reduceret omskiftning og ledningstab
Anvendelsesområder
• hårde opologier med afbryder
• PC sølvboks/ATX strømforsyninger
• effektfaktorkorrektions-strømforsyninger (PFC)
• switch-mode strømforsyninger (SMPS)
• 2-trins LED-belysning
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 26 A 500 V JEDEC TO-220AB, E Nej
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 21 A 600 V JEDEC TO-220AB, EF Nej SIHP21N60EF-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8.7 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB Nej SIHP8N50D-GE3
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 16 A 500 V, JEDEC TO-220AB Nej
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 16 A 500 V, JEDEC TO-220AB Nej IRFB17N50LPBF
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 21 A 600 V JEDEC TO-220AB, EF Nej
- Vishay Type N-Kanal 8.7 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB Nej
- Vishay Type N-Kanal 6 A 400 V Forbedring JEDEC TO-220AB Nej SIHP6N40D-GE3
