Vishay 1 N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 26 A 500 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E
- RS-varenummer:
- 180-7350
- Producentens varenummer:
- SIHP25N50E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 581,65
(ekskl. moms)
Kr. 727,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 250 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 11,633 | Kr. 581,65 |
| 100 - 200 | Kr. 10,935 | Kr. 546,75 |
| 250 - 450 | Kr. 9,888 | Kr. 494,40 |
| 500 - 1200 | Kr. 9,306 | Kr. 465,30 |
| 1250 + | Kr. 8,725 | Kr. 436,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7350
- Producentens varenummer:
- SIHP25N50E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.145Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 86nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 14.4mm | |
| Højde | 6.71mm | |
| Bredde | 10.52mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.145Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 86nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 14.4mm | ||
Højde 6.71mm | ||
Bredde 10.52mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay serie E Power MOSFET, 500 V drain-source spænding, 26 A kontinuerlig drain-strøm - SIHP25N50E-GE3
Denne effekt-MOSFET er en enkelt N-kanal-transistor i et TO-220AB-hus, der er designet til højspændingsswitching og strømkonverteringsopgaver. Den fungerer over et bredt omgivende temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig effekthåndtering og robuste gate-drive-egenskaber.
Egenskaber og fordele:
• 500 V drain-klassificering, der muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 26 A kontinuerlig afløbsstrøm til vedvarende belastningshåndtering
• 250 W maks. effekttab muliggør drift med høj effekt
• 0.145 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 86 nC typisk gate-ladning, der understøtter forudsigelig koblingsadfærd
• 30 V Vgs maksimum, der tillader almindelige gate-drivspændinger
• 26 A kontinuerlig afløbsstrøm til vedvarende belastningshåndtering
• 250 W maks. effekttab muliggør drift med høj effekt
• 0.145 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 86 nC typisk gate-ladning, der understøtter forudsigelig koblingsadfærd
• 30 V Vgs maksimum, der tillader almindelige gate-drivspændinger
Anvendelser
• Velegnet til industrielle strømforsyninger og omformere
• Ideel til switch-mode effekttopologier i invertere
• Anvendes til motordrevskredsløb, der kræver 500 V kapacitet
• Kan bruges til højspændingsrelæer og beskyttelsesswitching
• Anvendes med diskrete effekttrin i miljøer med høje temperaturer
• Ideel til switch-mode effekttopologier i invertere
• Anvendes til motordrevskredsløb, der kræver 500 V kapacitet
• Kan bruges til højspændingsrelæer og beskyttelsesswitching
• Anvendes med diskrete effekttrin i miljøer med høje temperaturer
Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?
Den fungerer over -55 °C til 150 °C og passer til kolde starter og høje driftsforhold.
Hvordan påvirker pakken varmestyringen?
TO-220AB-formatet giver mulighed for at bolte til en køleplade for forbedret varmeafledning og forbedret stabil termisk modstand.
Hvilke grænser for portdrev skal overholdes?
Hold gate-til-kilde-spændingen inden for ±30 V for at undgå at overskride enhedens gate-tærskeltolerancer.
Er enheden konfigureret til implementering med flere chips?
Indsatsen indeholder et enkelt element pr. chip, så parallellisering kræver omhyggeligt strømdelingskonstruktion.
Relaterede links
- Vishay 1 N-Kanal Enkelt 26 A 500 V JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 4.4 A 800 V JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 35 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay 1 N-Kanal Enkelt 21 A 600 V JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal Enkelt 5.2 A 200 V, JEDEC TO-220AB
- Vishay 1 N-Kanal Enkelt 50 A 60 V, JEDEC TO-220AB
