Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 26 A 500 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E
- RS-varenummer:
- 180-7350
- Producentens varenummer:
- SIHP25N50E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 581,65
(ekskl. moms)
Kr. 727,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 250 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 11,633 | Kr. 581,65 |
| 100 - 200 | Kr. 10,935 | Kr. 546,75 |
| 250 - 450 | Kr. 9,888 | Kr. 494,40 |
| 500 - 1200 | Kr. 9,306 | Kr. 465,30 |
| 1250 + | Kr. 8,725 | Kr. 436,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7350
- Producentens varenummer:
- SIHP25N50E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.145Ω | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 86nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 10.52 mm | |
| Højde | 6.71mm | |
| Længde | 14.4mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie E | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.145Ω | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 86nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 10.52 mm | ||
Højde 6.71mm | ||
Længde 14.4mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay N-kanal TO-220AB-3 MOSFET til hulmontering er et nyt produkt i alderen med en kildespænding på 500 V og en maksimal gate-kildespænding på 30 V. Den har en drænkildemodstand på 145 mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 250 W og kontinuerlig drænstrøm på 26A. Den har en driftsspænding på 10 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• lav figure-of-Merit (FOM): Ron x QG
• lav gate-opladning (QG)
• lav indgangskapacitet (CISS)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• reduceret omskiftning og ledningstab
Anvendelsesområder
• hårde opologier med afbryder
• PC sølvboks/ATX strømforsyninger
• effektfaktorkorrektions-strømforsyninger (PFC)
• switch-mode strømforsyninger (SMPS)
• 2-trins LED-belysning
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 26 A 500 V JEDEC TO-220AB, E
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 21 A 600 V JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 16 A 500 V, JEDEC TO-220AB
- Vishay Type N-Kanal 8.7 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB, D Series
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 5.2 A 200 V, JEDEC TO-220AB
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 18 A 50 V, JEDEC TO-220AB
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 11 A 60 V, JEDEC TO-220AB
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 50 A 60 V, JEDEC TO-220AB