Vishay 1 N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 26 A 500 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 581,65

(ekskl. moms)

Kr. 727,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 250 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 11,633Kr. 581,65
100 - 200Kr. 10,935Kr. 546,75
250 - 450Kr. 9,888Kr. 494,40
500 - 1200Kr. 9,306Kr. 465,30
1250 +Kr. 8,725Kr. 436,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
180-7350
Producentens varenummer:
SIHP25N50E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Serie

E

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.145Ω

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

86nC

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

30V

Transistorkonfiguration

Enkelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

14.4mm

Højde

6.71mm

Bredde

10.52mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay serie E Power MOSFET, 500 V drain-source spænding, 26 A kontinuerlig drain-strøm - SIHP25N50E-GE3


Denne effekt-MOSFET er en enkelt N-kanal-transistor i et TO-220AB-hus, der er designet til højspændingsswitching og strømkonverteringsopgaver. Den fungerer over et bredt omgivende temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig effekthåndtering og robuste gate-drive-egenskaber.

Egenskaber og fordele:


• 500 V drain-klassificering, der muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 26 A kontinuerlig afløbsstrøm til vedvarende belastningshåndtering
• 250 W maks. effekttab muliggør drift med høj effekt
• 0.145 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 86 nC typisk gate-ladning, der understøtter forudsigelig koblingsadfærd
• 30 V Vgs maksimum, der tillader almindelige gate-drivspændinger

Anvendelser


• Velegnet til industrielle strømforsyninger og omformere
• Ideel til switch-mode effekttopologier i invertere
• Anvendes til motordrevskredsløb, der kræver 500 V kapacitet
• Kan bruges til højspændingsrelæer og beskyttelsesswitching
• Anvendes med diskrete effekttrin i miljøer med høje temperaturer

Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?


Den fungerer over -55 °C til 150 °C og passer til kolde starter og høje driftsforhold.

Hvordan påvirker pakken varmestyringen?


TO-220AB-formatet giver mulighed for at bolte til en køleplade for forbedret varmeafledning og forbedret stabil termisk modstand.

Hvilke grænser for portdrev skal overholdes?


Hold gate-til-kilde-spændingen inden for ±30 V for at undgå at overskride enhedens gate-tærskeltolerancer.

Er enheden konfigureret til implementering med flere chips?


Indsatsen indeholder et enkelt element pr. chip, så parallellisering kræver omhyggeligt strømdelingskonstruktion.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.