Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.5 A 5.5 V, 4 Ben, TDFN, SiP32409
- RS-varenummer:
- 180-7806
- Producentens varenummer:
- SIP32409DNP-T1-GE4
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 43,525
(ekskl. moms)
Kr. 54,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 1,741 | Kr. 43,53 |
| 250 - 600 | Kr. 1,654 | Kr. 41,35 |
| 625 - 1225 | Kr. 1,394 | Kr. 34,85 |
| 1250 - 2475 | Kr. 1,308 | Kr. 32,70 |
| 2500 + | Kr. 1,167 | Kr. 29,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7806
- Producentens varenummer:
- SIP32409DNP-T1-GE4
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 5.5V | |
| Emballagetype | TDFN | |
| Serie | SiP32409 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 52mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 735mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 1.65mm | |
| Bredde | 1.25 mm | |
| Højde | 0.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 5.5V | ||
Emballagetype TDFN | ||
Serie SiP32409 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 52mΩ | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 735mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 1.65mm | ||
Bredde 1.25 mm | ||
Højde 0.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay belastningskontakt
Den Vishay TDFN4 N-kanals slew rate-styrede kontakt har en kontrolleret blød slew rate på typiske 2,5 ms. Dette begrænser indkoblingsstrømmen til konstruktioner med tung kapacitiv belastning og minimerer det resulterende spændingsfald ved strømskinnerne. Den har en drænkildemodstand på 44 Mohm og en udgangsstrøm på 3,5 A. Den kan integreres med et udgangsafladningskredsløb for hurtig slukning. Den har et logikinterface til styring af lavspænding (on/off-interface), der kan kommunikere med lavspændings-styresignaler uden ekstra skiftekredsløb. Belastningsafbryderen har en usædvanligt lav nedlukningsstrøm og giver blokering i bakgear for at forhindre, at der løber høj strøm ind i strømkilden.
Egenskaber og fordele
• 1,1 V til 5,5 V driftsspændingsområde
• 42 mW typisk fra 1,5 V til 5 V.
• fladt RON ned til 1,2 V.
• lav hvilestrøm < 1μA når deaktiveret 10.5μA typisk ved VIN = 1,2 V.
Driftstemperaturområde mellem -40 85 C og • C.
• blokering af strøm i bakgear, når kontakten er slået fra
• Slaw rate kontrolleret Turn on: 2,5 ms ved 3,6 V.
Anvendelsesområder
• datalagringsenheder
• digitalt kamera
• GPS-navigationsenheder
• bærbare computere/netbook-computere
• optiske, industrielle, medicinske og sundhedsrelaterede enheder
• PDA'er/smartphones
• Bærbare medieafspillere
• tablet-pc
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 3.5 A 5.5 V TDFN, SiP32409
- onsemi Type N-Kanal 174 A 150 V N TDFN
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V N TDFN, SUPERFET III
- onsemi Type N-Kanal 16 A 650 V N TDFN, SUPERFET III
- onsemi Type N-Kanal 30 A 650 V N TDFN, SUPERFET III
- onsemi Type N-Kanal 236 A 100 V Forbedring TDFN, NTMTS
- onsemi Type N-Kanal 267 A 100 V Forbedring TDFN, NTMTS
- Renesas Electronics MOSFET 3.5 A TSSOP
