Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 7.9 A 250 V, TO-220FP Nej IRFI644GPBF
- RS-varenummer:
- 180-8325
- Producentens varenummer:
- IRFI644GPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 502,95
(ekskl. moms)
Kr. 628,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 300 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 10,059 | Kr. 502,95 |
| 100 - 200 | Kr. 9,456 | Kr. 472,80 |
| 250 - 450 | Kr. 8,55 | Kr. 427,50 |
| 500 - 1200 | Kr. 8,047 | Kr. 402,35 |
| 1250 + | Kr. 7,544 | Kr. 377,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8325
- Producentens varenummer:
- IRFI644GPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.28Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 68nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 40W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.28Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 68nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 40W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er et N-kanal TO-220-3 hus er et nyt produkt med en afløbsspænding på 250 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 77 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. MOSFET'en har et maksimalt effekttab på 48 W. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• dynamisk DV/dt-klassificering
• isoleret hus
• blyfri (Pb) komponent
• lav termisk modstand
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• Vask til krybeafstand for bly er 4.8 mm
Anvendelsesområder
• Batteriladere
• Invertere
• Strømforsyninger
• strømforsyning til skiftetilstand (SMPS)
Relaterede links
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 7.9 A 250 V, TO-220FP Nej
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 3.1 A 500 V, TO-220FP Nej
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 3.1 A 500 V, TO-220FP Nej IRFI830GPBF
- Vishay Type P-Kanal 4.1 A 250 V Forbedring TO-220FP, IRFI Nej
- Vishay Type P-Kanal 4.1 A 250 V Forbedring TO-220FP, IRFI Nej IRFI9634GPBF
- Vishay 1 Type N-Kanal 1.4 A 800 V, TO-220FP Nej
- Vishay 1 Type N-Kanal 1.4 A 800 V, TO-220FP Nej IRFIBE20GPBF
- Vishay Type N-Kanal 5.3 A 500 V Forbedring TO-220FP Nej