Vishay 1 N-Kanal Enkelt, MOSFET, 2.7 A 60 V, 4 Ben, SOT-223
- RS-varenummer:
- 180-8362
- Producentens varenummer:
- IRLL014TRPBF
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 180-8362
- Producentens varenummer:
- IRLL014TRPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.2Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 10V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Længde | 6.3mm | |
| Højde | 1.8mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.2Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 10V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.3mm | ||
Længde 6.3mm | ||
Højde 1.8mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er en N-kanal SOT-223-3 pakke, der er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-source spænding på 10 V. Den har en drænkildemodstand på 200 Mohm ved en portkildespænding på 5 V. MOSFET har et maksimalt effekttab på 3,1 W. Den har en min. og maks. driftsspænding på hhv. 4 V og 5 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• fås i tape og rulle
• dynamisk DV/dt-klassificering
• let parallelkobling
• hurtigt skift
• halogen- og blyfrit (Pb) komponent
• Logikniveau gate-drive
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• RDS(on) angivet ved VGS er 4V og 5V
Anvendelsesområder
• Batteriladere
• Invertere
• Strømforsyninger
• strømforsyning til skiftetilstand (SMPS)
Relaterede links
- Vishay 1 N-Kanal Enkelt 2.7 A 60 V SOT-223
- Vishay N-Kanal 2.7 A 60 V Forbedring SOT-223, IRFL
- onsemi N-Kanal 3 A 60 V Forbedring SOT-223
- onsemi N-Kanal 4 A 60 V Forbedring SOT-223, NDT
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 60 V Forbedring SOT-223, STN3N
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 60 V Forbedring SOT-223, STripFET
- onsemi N-Kanal 2.8 A 60 V Forbedring SOT-223, NDT
- DiodesZetex N-Kanal 2.8 A 60 V Forbedring SOT-223, IntelliFET