Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 2.7 A 60 V, 4 Ben, SOT-223

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 56,85

(ekskl. moms)

Kr. 71,06

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.140 enhed(er) afsendes fra 18. marts 2026
  • Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 18. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 5,685Kr. 56,85
100 - 240Kr. 5,401Kr. 54,01
250 - 490Kr. 4,548Kr. 45,48
500 - 990Kr. 3,695Kr. 36,95
1000 +Kr. 3,127Kr. 31,27

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-8823
Producentens varenummer:
IRLL014TRPBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.7A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.2Ω

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.4nC

Portkildespænding maks.

±10 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

3.1W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.8mm

Bredde

3.3 mm

Længde

6.3mm

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay MOSFET er en N-kanal SOT-223-3 pakke, der er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-source spænding på 10 V. Den har en drænkildemodstand på 200 Mohm ved en portkildespænding på 5 V. MOSFET har et maksimalt effekttab på 3,1 W. Den har en min. og maks. driftsspænding på hhv. 4 V og 5 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• fås i tape og rulle

• dynamisk DV/dt-klassificering

• let parallelkobling

• hurtigt skift

• halogen- og blyfrit (Pb) komponent

• Logikniveau gate-drive

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• RDS(on) angivet ved VGS er 4V og 5V

Anvendelsesområder


• Batteriladere

• Invertere

• Strømforsyninger

• strømforsyning til skiftetilstand (SMPS)

Relaterede links