STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, STN3N Nej
- RS-varenummer:
- 233-3091
- Producentens varenummer:
- STN3NF06
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 5.716,00
(ekskl. moms)
Kr. 7.144,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 36.000 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 1,429 | Kr. 5.716,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-3091
- Producentens varenummer:
- STN3NF06
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | STN3N | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.3W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 7 mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie STN3N | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.3W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 7 mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics Power MOSFET er den seneste udvikling af den strip-baserede proces STMicroelectronics Unique \"Single Feature size\". Den resulterende transistor har ekstremt høj pakningstæthed for lav modstand, robuste lavine-egenskaber og mindre kritiske justeringstrin, hvilket er en bemærkelsesværdig produktionsreproducerbarhed.
Enestående dv/dt-funktion
Avalanche robust teknologi
100 % avalanche-testet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 60 V Forbedring SOT-223, STN3N Nej STN3NF06
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 60 V Forbedring SOT-223, STripFET Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 60 V Forbedring SOT-223, STripFET Nej STN3NF06L
- STMicroelectronics Type P-Kanal 3 A 60 V Forbedring SOT-223, STripFET Nej
- STMicroelectronics Type P-Kanal 3 A 60 V Forbedring SOT-223, STripFET Nej STN3P6F6
- STMicroelectronics 4 Ben, SOT-223 Nej
- onsemi Type N-Kanal 4 A 60 V Forbedring SOT-223, NDT Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 400 mA 600 V Forbedring SOT-223 Nej
