Vishay 1 Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 30 A 60 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB Nej IRLZ34PBF
- RS-varenummer:
- 180-8365
- Producentens varenummer:
- IRLZ34PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 498,30
(ekskl. moms)
Kr. 622,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 9,966 | Kr. 498,30 |
| 100 - 200 | Kr. 9,468 | Kr. 473,40 |
| 250 + | Kr. 8,97 | Kr. 448,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8365
- Producentens varenummer:
- IRLZ34PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.05Ω | |
| Portkildespænding maks. | ±10 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 88W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 14.4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC | |
| Højde | 6.48mm | |
| Bredde | 10.52 mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.05Ω | ||
Portkildespænding maks. ±10 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 88W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 14.4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC | ||
Højde 6.48mm | ||
Bredde 10.52 mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er en N-kanal TO-220AB-3 pakke, som er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-source spænding på 10 V. Den har en drænkildemodstand på 50 Mohm ved en portkildespænding på 5 V. MOSFET'en har et maksimalt effekttab på 88 W. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• dynamisk DV/dt-klassificering
• let parallelkobling
• hurtigt skift
• blyfri (Pb) komponent
• Logikniveau gate-drive
Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.
• enkle krav til drev
Anvendelsesområder
• Batteriladere
• Invertere
• Strømforsyninger
• strømforsyning til skiftetilstand (SMPS)
Relaterede links
- Vishay 1 Type N-Kanal 30 A 60 V JEDEC TO-220AB Nej
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 50 A 60 V, JEDEC TO-220AB Nej
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 50 A 60 V, JEDEC TO-220AB Nej IRFZ44RPBF
- Vishay Type N-Kanal 30 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFZ Nej
- Vishay Type N-Kanal 30 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFZ Nej IRFZ34PBF
- onsemi Type N-Kanal 30 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, QFET Nej FQP30N06
- Vishay Type N-Kanal 17 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFZ Nej
- Infineon Type N-Kanal 48 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET Nej