Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 14 A 100 V, 3 Ben, TO-263
- RS-varenummer:
- 180-8828
- Producentens varenummer:
- IRF530SPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 94,25
(ekskl. moms)
Kr. 117,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 235 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 18,85 | Kr. 94,25 |
| 50 - 120 | Kr. 17,712 | Kr. 88,56 |
| 125 - 245 | Kr. 15,992 | Kr. 79,96 |
| 250 - 495 | Kr. 15,08 | Kr. 75,40 |
| 500 + | Kr. 14,168 | Kr. 70,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8828
- Producentens varenummer:
- IRF530SPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.16Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 26nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 88W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Længde | 9.65mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.16Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 88W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Længde 9.65mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er en N-kanal TO-263-3 pakke, som er et nyt produkt i en alder med en drænkildespænding på 100 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 160 Mohm ved en gate-source spænding på 10 V. MOSFET'en har et maksimalt effekttab på 88 W. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• fås i tape og rulle
• dynamisk DV/dt-klassificering
• let parallelkobling
• hurtigt skift
• Halogenfri
• blyfri (Pb) komponent
Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.
• gentagen lavine-klassificeret
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• Batteriladere
• Invertere
• Strømforsyninger
• strømforsyning til skiftetilstand (SMPS)
Relaterede links
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 14 A 100 V TO-263
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 11 A 500 V, TO-263
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 5.2 A 200 V, TO-263
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 50 A 60 V TO-263
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 11 A 60 V, TO-263
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 6.8 A 100 V, TO-263
- Vishay Type N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-263, IRF830A
- Infineon Type N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET