Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 5.2 A 200 V, TO-263
- RS-varenummer:
- 180-8301
- Producentens varenummer:
- IRF620SPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 466,75
(ekskl. moms)
Kr. 583,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 700 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 9,335 | Kr. 466,75 |
| 250 - 450 | Kr. 8,776 | Kr. 438,80 |
| 500 - 1200 | Kr. 7,935 | Kr. 396,75 |
| 1250 - 2450 | Kr. 7,468 | Kr. 373,40 |
| 2500 + | Kr. 7,001 | Kr. 350,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8301
- Producentens varenummer:
- IRF620SPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.8Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.8Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRF620S er en N-kanal effekt-MOSFET, der har en drain-to-source (VdS) spænding på 200 V. gate-to-source spænding (VGS) er 20 V. Det har D2PAK (TO-263) hus. Den har modstandsdygtighed over for dræn til kilde (RDS.) 0,8 ohm ved 10 VGS. Maks. drænstrøm 5,2 A.
Overflademontering
Kan leveres på bånd og rulle
Dynamisk dv/dt-klassificering
Relaterede links
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 5.2 A 200 V, TO-263
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 5.2 A 200 V, JEDEC TO-220AB
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 11 A 500 V, TO-263
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 14 A 100 V TO-263
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 50 A 60 V TO-263
- Vishay Type N-Kanal 5.2 A 200 V Forbedring TO-263, SiHF620S
- Vishay Type N-Kanal 5.2 A 200 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF620
- Infineon Type N-Kanal 5.2 A 1700 V Forbedring TO-263, IMBF1