Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 5.2 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHF620S Nej SIHF620S-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 92,00

(ekskl. moms)

Kr. 115,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 23. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 9,20Kr. 92,00
100 - 240Kr. 8,654Kr. 86,54
250 - 490Kr. 7,824Kr. 78,24
500 - 990Kr. 7,353Kr. 73,53
1000 +Kr. 6,904Kr. 69,04

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
815-2629
Producentens varenummer:
SIHF620S-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.2A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

TO-263

Serie

SiHF620S

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

800mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

50W

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

4.83mm

Længde

10.67mm

Bredde

9.65 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links