Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 5.2 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHF620S Nej
- RS-varenummer:
- 145-1709
- Producentens varenummer:
- SIHF620S-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 246,30
(ekskl. moms)
Kr. 307,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 4,926 | Kr. 246,30 |
| 100 - 200 | Kr. 4,63 | Kr. 231,50 |
| 250 - 450 | Kr. 4,187 | Kr. 209,35 |
| 500 - 1200 | Kr. 3,94 | Kr. 197,00 |
| 1250 + | Kr. 3,695 | Kr. 184,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 145-1709
- Producentens varenummer:
- SIHF620S-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | SiHF620S | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 800mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie SiHF620S | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 800mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 5.2 A 200 V Forbedring TO-263, SiHF620S Nej SIHF620S-GE3
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-263 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-263 Nej STB7NK80ZT4
- Vishay Type N-Kanal 9 A 200 V Forbedring TO-263, SiHF630S Nej
- Vishay Type N-Kanal 64 A 200 V Forbedring TO-263, SUM90220E Nej
- Vishay Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring TO-263, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 150 A 200 V Forbedring TO-263, TrenchFET Nej
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 5.2 A 200 V, TO-263 Nej
