Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHF630S
- RS-varenummer:
- 815-2623
- Producentens varenummer:
- SIHF630STRL-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 131,95
(ekskl. moms)
Kr. 164,94
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 13,195 | Kr. 131,95 |
| 100 - 240 | Kr. 12,394 | Kr. 123,94 |
| 250 - 490 | Kr. 11,22 | Kr. 112,20 |
| 500 - 990 | Kr. 10,562 | Kr. 105,62 |
| 1000 + | Kr. 9,889 | Kr. 98,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 815-2623
- Producentens varenummer:
- SIHF630STRL-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | SiHF630S | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 400mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 74W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 43nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie SiHF630S | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 400mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 74W | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 43nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 9 A 200 V Forbedring TO-263, SiHF630S
- Vishay Type N-Kanal 25 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB125N60EF
- Vishay Type N-Kanal 150 A 40 V Forbedring TO-263, SUM40012EL
- Vishay Type N-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-263, EF
- Vishay Type N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-263, E
