Vishay 1 N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 5.2 A 200 V, 3 Ben, TO-263, IRF620S

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 93,80

(ekskl. moms)

Kr. 117,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 715 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 18,76Kr. 93,80
50 - 120Kr. 17,054Kr. 85,27
125 - 245Kr. 15,948Kr. 79,74
250 - 495Kr. 15,004Kr. 75,02
500 +Kr. 14,078Kr. 70,39

*Vejledende pris

RS-varenummer:
180-8843
Elfa Distrelec varenummer:
304-30-843
Producentens varenummer:
IRF620SPBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.2A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

TO-263

Serie

IRF620S

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.8Ω

Effektafsættelse maks. Pd

50W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14nC

Transistorkonfiguration

Enkelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay IRF620S seriens Power MOSFET, 200 V drain source spænding, 50 W maksimal effekttab - IRF620SPBF


Denne effekt-MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til højspændingskoblings- og effektanvendelser. Den leveres i et TO-263-hus og tilbyder en enkelt transistorkonfiguration til kompakte løsninger på kortniveau. Komponenten er velegnet, hvor der kræves kontrolleret omskiftning og termisk modstandsdygtighed i industrielle og elektroniske forsyningsdesign.

Egenskaber og fordele:


• 200 V afløbsspænding muliggør højspændingskontaktfunktion
• 5,2 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 50 W effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering
• 0.8 Ω drain-source-modstand reducerer ledningstab
• 14 nC typisk gate-ladning forbedrer koblingseffektiviteten
• Fungerer fra -55 °C til 150 °C for bredt termisk område

Anvendelser


• Velegnet til 200 V skiftestrømforsyninger på printkort
• Ideel til gate-switching med motordrev i styringskredsløb
• Anvendes sammen med PWM-controllere i strømkonverteringsdesign
• Kan bruges til generelle højspændingskoblingsopgaver
• Anvendes i kortmonterede effekttrinmonteringssamlinger

Hvilken monteringstype kræver den på et printkort?


Det er en overflademonteret enhed, der leveres i en TO-263-pakke, der kræver passende loddepuder og en termisk jord til varmeoverførsel.

Hvilke gate-spændingsbegrænsninger skal designere overholde?


Mærkeværdien for gate-source er begrænset til maks. 20 V, og konstruktionerne bør forhindre overskridelse af dette under drift eller transienter.

Hvor mange transistorelementer er til stede på indsatsen?


Komponenten indeholder et enkelt element pr. chip, hvilket forenkler parallelle/serieanordninger.

Er der miljø- eller materialestandarder forbundet med enheden?


Den er i overensstemmelse med RoHS 2002/95/EC og følger IEC 61249-2-21 materialretningslinjer for produktion.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.