onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 124 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, FDMS86181 Nej FDMS86181

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 31,96

(ekskl. moms)

Kr. 39,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.990 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 6,392Kr. 31,96

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
181-1895
Producentens varenummer:
FDMS86181
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

124A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

FDMS86181

Emballagetype

PQFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

12mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

5.85mm

Højde

1.05mm

Bredde

5 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH
Denne N-kanal MV MOSFET er fremstillet ved hjælp af en Advanced PowerTrench ® proces, der indeholder Shielded Gate-teknologi. Denne proces er blevet optimeret til at minimere modstand i tændt tilstand og alligevel opretholde en overlegen skifteevne med klassens bedste bløde diode.

Skærmet Gate MOSFET-teknologi

Maks. RDS (til) = 4,2 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 44 A.

Maks. RDS (til) = 12 mΩ ved VGS = 6 V, ID = 22 A.

TILFØJ

50 % lavere Qrr end andre MOSFET-leverandører

Sænker switching-støj/EMI

Dette produkt er til generel brug og velegnet til mange forskellige opgaver.

Relaterede links