onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 128 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, FDP
- RS-varenummer:
- 181-1903
- Producentens varenummer:
- FDP4D5N10C
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 51,22
(ekskl. moms)
Kr. 64,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 170 enhed(er) afsendes fra 22. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 25,61 | Kr. 51,22 |
| 20 - 198 | Kr. 22,075 | Kr. 44,15 |
| 200 + | Kr. 19,155 | Kr. 38,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 181-1903
- Producentens varenummer:
- FDP4D5N10C
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 128A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | FDP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.36mm | |
| Højde | 15.21mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 128A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie FDP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.36mm | ||
Højde 15.21mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne N-kanal MV MOSFET er produceret med ON Semiconductor's advancerede PowerTrench® proces, der omfatter skærmet gate-teknologi. Denne proces er blevet optimeret til at minimere modstand i ledetilstand og alligevel bevare uovertruffen switching-ydelse med en best-in-class blød husdiode
Maks. RDS (ON) = 4,5 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 128 A
Effekttæthed Og Skærmet Gate, Effekttæthed Og Skærmet Gate, Høj Effektivitet/Høj Ydeevne
Højtydende rench-teknologi til Ekstremt lav RDS (til)
Høj effekttæthed med skærmet gate-teknologi
Ekstremt Lav Returladning, Qrr
Lav Vds spids intern snubber-funktion.
Lav gate-Opladning, QG = 48 nC (typ.)
Tabsfattigt skift
Høj Effekt- Og Strømhåndtering
Lav Qrr/Trr
Blød gendannelse
Synkron ensretning til ATX/Server/arbejdsstation/Telecom PSU/adapter og industrielle strømforsyninger.
Motordrev og nødstrømsforsyninger
Micro Solar Inverter
Server
Telekommunikation
Databehandling (Atx, Arbejdsstation, Adapter, Industrielle Strømforsyninger Osv.)
Motordrev
Nødstrømsforsyninger
Solcelleinverter
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 128 A 100 V Forbedring TO-220, FDP
- onsemi Type N-Kanal 222 A 100 V Forbedring TO-220, FDP
- onsemi Type N-Kanal 128 A 100 V Forbedring TO-220, FDPF
- onsemi Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 36 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-220