onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 128 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, FDP

RS-varenummer:: 181-1903
Producentens varenummer:: FDP4D5N10C
Brand:: onsemi

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 128 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, FDP

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 64,03

(ekskl. moms)

Kr. 80,038

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

2 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 170 enhed(er) afsendes fra 29. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
2 - 18	Kr. 32,015	Kr. 64,03
20 - 198	Kr. 27,60	Kr. 55,20
200 +	Kr. 23,935	Kr. 47,87

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 181-1903
Producentens varenummer:: FDP4D5N10C
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	128A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	FDP
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	4.5mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	150W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	48nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Højde	15.21mm
	Bredde	4.67 mm
	Længde	10.36mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 128A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype TO-220
	Serie FDP
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 150W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Højde 15.21mm
	Bredde 4.67 mm
	Længde 10.36mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Denne N-kanal MV MOSFET er produceret med ON Semiconductor's advancerede PowerTrench® proces, der omfatter skærmet gate-teknologi. Denne proces er blevet optimeret til at minimere modstand i ledetilstand og alligevel bevare uovertruffen switching-ydelse med en best-in-class blød husdiode

Maks. RDS (ON) = 4,5 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 128 A

Effekttæthed Og Skærmet Gate, Effekttæthed Og Skærmet Gate, Høj Effektivitet/Høj Ydeevne

Højtydende rench-teknologi til Ekstremt lav RDS (til)

Høj effekttæthed med skærmet gate-teknologi

Ekstremt Lav Returladning, Qrr

Lav Vds spids intern snubber-funktion.

Lav gate-Opladning, QG = 48 nC (typ.)

Tabsfattigt skift

Høj Effekt- Og Strømhåndtering

Lav Qrr/Trr

Blød gendannelse

Synkron ensretning til ATX/Server/arbejdsstation/Telecom PSU/adapter og industrielle strømforsyninger.

Motordrev og nødstrømsforsyninger

Micro Solar Inverter

Server

Telekommunikation

Databehandling (Atx, Arbejdsstation, Adapter, Industrielle Strømforsyninger Osv.)

Motordrev

Nødstrømsforsyninger

Solcelleinverter

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 128 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, FDP

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Relaterede links