onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220
- RS-varenummer:
- 189-0263
- Producentens varenummer:
- NTP150N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 189-0263
- Producentens varenummer:
- NTP150N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 43nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 192W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 16.3mm | |
| Bredde | 4.7 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 43nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 192W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 16.3mm | ||
Bredde 4.7 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
SUPERFET III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændingssuper-junction (SJ) MOSFET-serie, der anvender opladningsbalanceteknologi for at opnå enestående lav on-modstandskraft og lavere gate-opladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. SUPERFET III MOSFET er derfor meget velegnet til de forskellige effektsystemer til miniaturisering og højere effektivitet. SUPERFET III FRFET MOSFET's optimerede reverse recovery-ydelse på kropsdioden kan fjerne yderligere komponenter og forbedre systemets pålidelighed.
700 V ved TJ = 150 °C
Opladning af ultralav port (Typ. QG = 43 NC)
Lav effektiv udgangskondentans (Typ. USS(eff.) = 400 pF)
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Fremragende ydeevne for husdiode (lav Qrr, robust husdiode)
Optimeret kapacitet
Typ. RDS(on) = 121 mΩ
Lavere skiftetab
Lavere skiftetab
Højere systempålidelighed i LLC og helbro faseskiftende kredsløb
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Anvendelsesområder
Telekommunikation
Cloud-system
Industriel
Slutprodukter
Telekommunikations-strøm
Serverstrøm
Elbil-lader
Solcelle/UPS (nødstrømsforsyning)
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-220, FCP
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-220, NTP125N
- onsemi Type N-Kanal 36 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-220, NTP