onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220 Nej NTP150N65S3HF

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 99,10

(ekskl. moms)

Kr. 123,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 19,82Kr. 99,10

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
189-0372
Producentens varenummer:
NTP150N65S3HF
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

24A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

150mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

43nC

Effektafsættelse maks. Pd

192W

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.67mm

Bredde

4.7 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

16.3mm

Bilindustristandarder

Nej

SUPERFET III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændingssuper-junction (SJ) MOSFET-serie, der anvender opladningsbalanceteknologi for at opnå enestående lav on-modstandskraft og lavere gate-opladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. SUPERFET III MOSFET er derfor meget velegnet til de forskellige effektsystemer til miniaturisering og højere effektivitet. SUPERFET III FRFET MOSFET's optimerede reverse recovery-ydelse på kropsdioden kan fjerne yderligere komponenter og forbedre systemets pålidelighed.

700 V ved TJ = 150 °C

Opladning af ultralav port (Typ. QG = 43 NC)

Lav effektiv udgangskondentans (Typ. USS(eff.) = 400 pF)

Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur

Fremragende ydeevne for husdiode (lav Qrr, robust husdiode)

Optimeret kapacitet

Typ. RDS(on) = 121 mΩ

Lavere skiftetab

Lavere skiftetab

Højere systempålidelighed i LLC og helbro faseskiftende kredsløb

Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger

Anvendelsesområder

Telekommunikation

Cloud-system

Industriel

Slutprodukter

Telekommunikations-strøm

Serverstrøm

Elbil-lader

Solcelle/UPS (nødstrømsforsyning)

Relaterede links