DiodesZetex P-Kanal, MOSFET, 6,5 A 20 V, 8 ben, SO-8 DMP2040USD-13
- RS-varenummer:
- 182-6908
- Producentens varenummer:
- DMP2040USD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 2.592,50
(ekskl. moms)
Kr. 3.240,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Pr stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 1,037 | Kr. 2.592,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-6908
- Producentens varenummer:
- DMP2040USD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 6,5 A | |
| Drain source spænding maks. | 20 V | |
| Kapslingstype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. | 52 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 1.5V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 0.6V | |
| Effektafsættelse maks. | 1,6 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | ±12 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 4.95mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 19 nC ved 8 V. | |
| Bredde | 3.9mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Højde | 1.5mm | |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.2V | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 6,5 A | ||
Drain source spænding maks. 20 V | ||
Kapslingstype SO-8 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. 52 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 1.5V | ||
Mindste tærskelspænding for port 0.6V | ||
Effektafsættelse maks. 1,6 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. ±12 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Længde 4.95mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 19 nC ved 8 V. | ||
Bredde 3.9mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Højde 1.5mm | ||
Gennemgangsspænding for diode 1.2V | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Dobbelt P-kanal MOSFET
Lav aktiv modstand
Lav gate-tærskelspænding
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" Enhed.
Anvendelsesområder
Baggrundsbelysning
Power Management-Funktioner
DC/DC-konvertere
Lav aktiv modstand
Lav gate-tærskelspænding
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" Enhed.
Anvendelsesområder
Baggrundsbelysning
Power Management-Funktioner
DC/DC-konvertere
Relaterede links
- DiodesZetex P-Kanal 6 8 ben, SO-8 DMP2040USD-13
- DiodesZetex P-Kanal 7 A 20 V SO-8 DMP2040USS-13
- DiodesZetex N-Kanal 900 mA 60 V SO-8, ZXMS6008DN8 ZXMS6008DN8-13
- DiodesZetex N-Kanal 10 A 60 V SO-8, DMT616 DMT616MLSS-13
- DiodesZetex N-Kanal 900 mA 60 V SO-8, ZXMS6008N8 ZXMS6008DN8Q-13
- DiodesZetex N-Kanal 6 8 ben DMN6022 DMN6022SSS-13
- DiodesZetex N-Kanal 900 mA 60 V SO-8, ZXMS6008DN8 ZXMS6008N8-13
- DiodesZetex P-Kanal 160 mA SOIC DMP65H20D0HSS-13
