DiodesZetex 1 Type P-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 6.5 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8
- RS-varenummer:
- 182-7019
- Producentens varenummer:
- DMP2040USD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 133,15
(ekskl. moms)
Kr. 166,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 31. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 2,663 | Kr. 133,15 |
| 250 - 450 | Kr. 2,331 | Kr. 116,55 |
| 500 - 950 | Kr. 1,867 | Kr. 93,35 |
| 1000 - 1950 | Kr. 1,553 | Kr. 77,65 |
| 2000 + | Kr. 1,432 | Kr. 71,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7019
- Producentens varenummer:
- DMP2040USD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.6W | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.6nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -7V | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Standarder/godkendelser | J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Længde | 4.95mm | |
| Bredde | 3.9 mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.6W | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.6nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -7V | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Standarder/godkendelser J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Længde 4.95mm | ||
Bredde 3.9 mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Dobbelt P-kanal MOSFET
Lav aktiv modstand
Lav gate-tærskelspænding
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" Enhed.
Anvendelsesområder
Baggrundsbelysning
Power Management-Funktioner
DC/DC-konvertere
Relaterede links
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Enkelt 6.5 A 20 V Forbedring SO-8 Nej
- DiodesZetex Type P-Kanal 7 A 20 V Forbedring SO-8, DMP2040USS AEC-Q101 DMP2040USS-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 14.8 A 60 V Forbedring SO-8, DMT67M8LSS Nej DMT67M8LSS-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 0.9 A 60 V Forbedring SO-8, ZXMS6008DN8 Nej ZXMS6008N8-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 10 A 60 V Forbedring SO-8, DMT616 Nej DMT616MLSS-13
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 30 V Forbedring SOIC Nej DMP3085LSD-13
- DiodesZetex Type P-Kanal 7 A 20 V Forbedring SO-8, DMP2040USS AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 5.8 A 30 V Forbedring SOP AEC-Q101 DMP3056LSD-13
