DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 7 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, DMP2040USS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-6909
- Producentens varenummer:
- DMP2040USS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 2.195,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.745,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 0,878 | Kr. 2.195,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-6909
- Producentens varenummer:
- DMP2040USS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | DMP2040USS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 4.95mm | |
| Bredde | 3.9 mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie DMP2040USS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 4.95mm | ||
Bredde 3.9 mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav gate-tærskelspænding
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" Enhed.
Anvendelsesområder
Baggrundsbelysning
Power Management-Funktioner
DC/DC-konvertere
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 7 A 20 V Forbedring SO-8, DMP2040USS AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 6.9 A 60 V Forbedring SO-8, DMN6022 AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Enkelt 6.5 A 20 V Forbedring SO-8
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 9 A 30 V Forbedring PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 8.7 A 40 V Forbedring PowerDI3333-8 AEC-Q101
