DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 0.9 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, ZXMS6008N8 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 4,08

(ekskl. moms)

Kr. 5,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.480 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 4,08
10 - 99Kr. 3,67
100 - 499Kr. 3,37
500 - 999Kr. 3,14
1000 +Kr. 2,62

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
216-350
Producentens varenummer:
ZXMS6008DN8Q-13
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.9A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

ZXMS6008N8

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

800mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2.13W

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Længde

4.9mm

Bredde

6 mm

Højde

1.45mm

Standarder/godkendelser

RoHS, Antimony-Free

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
DiodesZetex MOSFET er en dobbelt selvbeskyttet IntelliFET MOSFET med lav side og logisk niveauindgang. Den integrerer overtemperatur-, overstrøms-, overspændings- og ESD-beskyttet logisk niveau-funktionalitet. Den er ideel som en generel switch, der drives fra 3,3 V eller 5 V mikrocontrollere i barske miljøer, hvor standard MOSFET'er ikke er robuste nok.

Kompakt pakke med høj effektafledning

Lav indgangsstrøm

Kortslutningsbeskyttelse med automatisk genstart

Overspændingsbeskyttelse

Termisk nedlukning med automatisk genstart

Beskyttelse mod overstrøm

Input ESD-beskyttelse

Høj kontinuerlig strømstyrke

Relaterede links