DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 0.9 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, ZXMS6008N8 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 216-350
- Producentens varenummer:
- ZXMS6008DN8Q-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 4,08
(ekskl. moms)
Kr. 5,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.480 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 4,08 |
| 10 - 99 | Kr. 3,67 |
| 100 - 499 | Kr. 3,37 |
| 500 - 999 | Kr. 3,14 |
| 1000 + | Kr. 2,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 216-350
- Producentens varenummer:
- ZXMS6008DN8Q-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | ZXMS6008N8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 800mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.13W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Antimony-Free | |
| Længde | 4.9mm | |
| Højde | 1.45mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie ZXMS6008N8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 800mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.13W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Antimony-Free | ||
Længde 4.9mm | ||
Højde 1.45mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex MOSFET er en dobbelt selvbeskyttet IntelliFET MOSFET med lav side og logisk niveauindgang. Den integrerer overtemperatur-, overstrøms-, overspændings- og ESD-beskyttet logisk niveau-funktionalitet. Den er ideel som en generel switch, der drives fra 3,3 V eller 5 V mikrocontrollere i barske miljøer, hvor standard MOSFET'er ikke er robuste nok.
Kompakt pakke med høj effektafledning
Lav indgangsstrøm
Kortslutningsbeskyttelse med automatisk genstart
Overspændingsbeskyttelse
Termisk nedlukning med automatisk genstart
Beskyttelse mod overstrøm
Input ESD-beskyttelse
Høj kontinuerlig strømstyrke
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 0.9 A 60 V Forbedring SO-8, ZXMS6008DN8
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 0.9 A 60 V Forbedring SO-8, ZXMS6008DN8 AEC-Q100
- Vishay Dobbelt N-kanal-Kanal 7 A 60 V Forbedring SO-8, SQ4946CEY AEC-Q101
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 3 A 50 V Forbedring SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 6.9 A 60 V Forbedring SO-8, DMN6022 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 7 A 20 V Forbedring SO-8, DMP2040USS AEC-Q101
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 60 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101