Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 3 A 50 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 101,13

(ekskl. moms)

Kr. 126,41

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.260 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 10,113Kr. 101,13
100 - 240Kr. 9,612Kr. 96,12
250 - 490Kr. 9,208Kr. 92,08
500 - 990Kr. 8,796Kr. 87,96
1000 +Kr. 8,198Kr. 81,98

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4608
Producentens varenummer:
AUIRF7103QTR
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3A

Drain source spænding maks. Vds

50V

Emballagetype

SO-8

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

130mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. silicium-område. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.

Avanceret planar-teknologi

Dobbelt N-kanal MOSFET lav modstand

Logikniveau gatedrev

Relaterede links