Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 3 A 50 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101 AUIRF7103QTR

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 114,33

(ekskl. moms)

Kr. 142,91

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 11,433Kr. 114,33
100 - 240Kr. 10,861Kr. 108,61
250 - 490Kr. 10,405Kr. 104,05
500 - 990Kr. 9,956Kr. 99,56
1000 +Kr. 9,26Kr. 92,60

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4608
Producentens varenummer:
AUIRF7103QTR
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3A

Drain source spænding maks. Vds

50V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

130mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

1.5mm

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4 mm

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. silicium-område. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.

Avanceret planar-teknologi

Dobbelt N-kanal MOSFET lav modstand

Logikniveau gatedrev

Relaterede links