Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 3 A 50 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-4608
- Producentens varenummer:
- AUIRF7103QTR
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 97,46
(ekskl. moms)
Kr. 121,82
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.090 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 9,746 | Kr. 97,46 |
| 100 - 240 | Kr. 9,26 | Kr. 92,60 |
| 250 - 490 | Kr. 8,879 | Kr. 88,79 |
| 500 - 990 | Kr. 8,475 | Kr. 84,75 |
| 1000 + | Kr. 7,899 | Kr. 78,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4608
- Producentens varenummer:
- AUIRF7103QTR
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 130mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.5mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 130mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.5mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. silicium-område. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Avanceret planar-teknologi
Dobbelt N-kanal MOSFET lav modstand
Logikniveau gatedrev
Relaterede links
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 3 A 50 V Forbedring SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 21 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 6.6 A 20 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 10 A 20 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 21 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -4 A -30 V Dobbelt SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, HEXFET