Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET-arrays, 21 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 13.736,00

(ekskl. moms)

Kr. 17.168,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 30. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 +Kr. 3,434Kr. 13.736,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
215-2584
Producentens varenummer:
IRF7831TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET-arrays

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

40nC

Portkildespænding maks.

±12 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4 mm

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

Infineon HEXFET Power MOSFET serien har 30 V maksimal kildespænding i SO-8 hus. Den har anvendelse synkron buck-konverter med højt frekvenspunkt for belastning til anvendelser i netværks- og computersystemer.

I overensstemmelse med RoHS

Brancheførende kvalitet

Lav RDS(ON) ved 4,5 V VGS

Fuldstændigt karakteriseret avalanche-spænding og -strømstyrke

Ultra-lav gate-impedans

Relaterede links