Infineon Type P-Kanal, IR MOSFET, -4 A -30 V Dobbelt, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 258-8196
- Producentens varenummer:
- IRF7306TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 62,48
(ekskl. moms)
Kr. 78,10
(inkl. moms)
Tilføj 90 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 4.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 6,248 | Kr. 62,48 |
| 50 - 90 | Kr. 6,126 | Kr. 61,26 |
| 100 - 490 | Kr. 4,862 | Kr. 48,62 |
| 500 - 1990 | Kr. 4,032 | Kr. 40,32 |
| 2000 + | Kr. 3,082 | Kr. 30,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-8196
- Producentens varenummer:
- IRF7306TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | IR MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Kanalform | Dobbelt | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.7nC | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4 mm | |
| Højde | 1.75mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype IR MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -4A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Kanalform Dobbelt | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.7nC | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4 mm | ||
Højde 1.75mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal -4 A -30 V Dobbelt SO-8, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 5 A SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 6.6 A 20 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 21 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 10 A 20 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 21 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 2 Type P-Kanal Dobbelt 8 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 3 A 50 V Forbedring SO-8, HEXFET AEC-Q101
