Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 5.1 A 55 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 223-8453
- Producentens varenummer:
- AUIRF7341QTR
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 157,15
(ekskl. moms)
Kr. 196,44
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 15.320 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 15,715 | Kr. 157,15 |
| 50 - 90 | Kr. 14,938 | Kr. 149,38 |
| 100 - 240 | Kr. 14,302 | Kr. 143,02 |
| 250 - 490 | Kr. 13,673 | Kr. 136,73 |
| 500 + | Kr. 12,731 | Kr. 127,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 223-8453
- Producentens varenummer:
- AUIRF7341QTR
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 500mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 500mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET power MOSFET i et dobbelt SO-8 hus anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Det effektive SO-8 hus har forbedrede termiske egenskaber og dobbelt MOSFET-kæbekapacitet, hvilket gør det ideelt til en lang række anvendelser.
Advanced Planar-teknologi
Dynamisk DV/DT-klassificering
Logikniveau gate-drive
175 °C driftstemperatur
Hurtigt skift
Blyfri
I overensstemmelse med RoHS
Godkendt til brug i køretøjer
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Mosfet med to N-kanaler 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 3 A 50 V Forbedring SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 21 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 6.6 A 20 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 10 A 20 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 21 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -4 A -30 V Dobbelt SO-8, HEXFET