Infineon 2 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 5.1 A 55 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
223-8453
Producentens varenummer:
AUIRF7341QTR
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.1A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

500mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

29nC

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

1.5mm

Længde

5mm

Bredde

4mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon HEXFET power MOSFET i et dobbelt SO-8 hus anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Det effektive SO-8 hus har forbedrede termiske egenskaber og dobbelt MOSFET-kæbekapacitet, hvilket gør det ideelt til en lang række anvendelser.

Advanced Planar-teknologi

Dynamisk DV/DT-klassificering

Logikniveau gate-drive

175 °C driftstemperatur

Hurtigt skift

Blyfri

I overensstemmelse med RoHS

Godkendt til brug i køretøjer

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.