Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 5.1 A 55 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 23.112,00

(ekskl. moms)

Kr. 28.888,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 12.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 +Kr. 5,778Kr. 23.112,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
223-8452
Producentens varenummer:
AUIRF7341QTR
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.1A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

SO-8

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

500mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

29nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

3 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Bredde

4 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon HEXFET power MOSFET i et dobbelt SO-8 hus anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Det effektive SO-8 hus har forbedrede termiske egenskaber og dobbelt MOSFET-kæbekapacitet, hvilket gør det ideelt til en lang række anvendelser.

Advanced Planar-teknologi

Dynamisk DV/DT-klassificering

Logikniveau gate-drive

175 °C driftstemperatur

Hurtigt skift

Blyfri

I overensstemmelse med RoHS

Godkendt til brug i køretøjer

Relaterede links