Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET Nej IRF7862TRPBF
- RS-varenummer:
- 257-9324
- Producentens varenummer:
- IRF7862TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 35,75
(ekskl. moms)
Kr. 44,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.975 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 7,15 | Kr. 35,75 |
| 50 - 120 | Kr. 5,708 | Kr. 28,54 |
| 125 - 245 | Kr. 5,29 | Kr. 26,45 |
| 250 - 495 | Kr. 4,93 | Kr. 24,65 |
| 500 + | Kr. 3,22 | Kr. 16,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9324
- Producentens varenummer:
- IRF7862TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er 30 V enkelt n-kanals HEXFET-effektmosfet i et SO 8-hus.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Optimeret til 5 V gate-drevspænding (kaldet logikniveau)
Hus til overflademontering i industristandard
Kan bølgeloddes
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 21 A 30 V HEXFET IRF7862TRPBF
- Infineon N-Kanal 21 A 30 V SO-8, HEXFET IRF7831TRPBF
- Infineon N-Kanal 21 A 30 V SO-8, HEXFET IRF8734TRPBF
- Infineon N-Kanal 12 A 30 V HEXFET IRF9388TRPBF
- Infineon N-Kanal 9 SO-8, HEXFET IRF9393TRPBF
- Infineon N-Kanal 14 A 30 V HEXFET IRF8714TRPBF
- Infineon N-Kanal 9 SO-8, HEXFET IRF9358TRPBF
- Infineon N-Kanal 8 A 30 V HEXFET IRF7328TRPBF
