Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 57 A 100 V, SO-8, HEXFET Nej IRF6644TRPBF
- RS-varenummer:
- 257-9296
- Producentens varenummer:
- IRF6644TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 28,72
(ekskl. moms)
Kr. 35,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 4.478 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 14,36 | Kr. 28,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9296
- Producentens varenummer:
- IRF6644TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 57A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 57A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Drain source modstand maks. Rds 13mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er den stærke IRFET Power Mosfet-serie, der er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Høj mærkestrøm
Dobbeltsidet kølingskapacitet
Lav hushøjde på 0,7 mm
Hus med lav parasitisk (1 til 2 nH) induktion
100 procent blyfri (ingen RoHS-fritagelse)
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 10 SO-8, HEXFET IRF6644TRPBF
- Infineon N-Kanal 6 8 ben HEXFET IRF7473TRPBF
- Infineon N-Kanal 5 8 ben HEXFET IRF7490TRPBF
- Infineon N-Kanal 10 A 80 V HEXFET IRF7854TRPBF
- Infineon N-Kanal 12 A 30 V HEXFET IRF9388TRPBF
- Infineon N-Kanal 9 SO-8, HEXFET IRF7329TRPBF
- Infineon N-Kanal 9 SO-8, HEXFET IRF9393TRPBF
- Infineon N-Kanal 14 A 30 V HEXFET IRF8714TRPBF
