Infineon N-Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Forbedring, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9296
- Producentens varenummer:
- IRF6644TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 48,10
(ekskl. moms)
Kr. 60,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.470 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 24,05 | Kr. 48,10 |
| 20 - 48 | Kr. 21,17 | Kr. 42,34 |
| 50 - 98 | Kr. 19,935 | Kr. 39,87 |
| 100 - 198 | Kr. 18,55 | Kr. 37,10 |
| 200 + | Kr. 13,20 | Kr. 26,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9296
- Producentens varenummer:
- IRF6644TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 57A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 57A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 13mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er den stærke IRFET Power Mosfet-serie, der er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Høj mærkestrøm
Dobbeltsidet kølingskapacitet
Lav hushøjde på 0,7 mm
Hus med lav parasitisk (1 til 2 nH) induktion
100 procent blyfri (ingen RoHS-fritagelse)
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 57 A 100 V HEXFET
- Infineon N-Kanal -12 A -30 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 6.5 A 30 V HEXFET
- Infineon 2 N-Kanal Mosfet med to N-kanaler 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 6.9 A 100 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal 57 A 100 V TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 14 A 30 V SO-8, HEXFET
- Infineon N-Kanal -9.2 A -30 V SO-8, HEXFET
